LMG1020 具有以下特性和規格：
- 用于 5V 驅動 GaN 和硅質 FET 的單個低側超快速驅動器
- 5V 單電源
- 施密特觸發型 CMOS 輸入，可確保穩定性
- 傳播延遲：2.5ns（典型值），4.5ns（最大值）
- 典型上升/下降時間為 400ps
- UVLO 和過熱保護
- 最小封裝 0.8 x 1.2 WCSP，可最大限度降低柵極環路電感及提高功率密度
LMG1020EVM 還包含 SN74LVC1G08，這是一個單路 2 輸入正與門，具有以下特性：
- LMG1020 輸入緩沖器
- 用于通過在與門的一個輸入端使用 R-C 濾波器來縮短輸入脈沖寬度 (圖 10-1)
- 在 R3 上增加一個 0Ω 電阻器并取下 R10 來斷開與門輸出，從而繞過緩沖器。
EVM 還具有低 ESL，0.47uF 饋通式電容器（圖 7-1 中的 C4）
- 饋通式結構縮短了與 GND 的距離，并實現了低 ESL
- 低 ESL 可防止 VDD 上出現振鈴（建議最大值為 5.4V）
- 可以替換為一個盡可能靠近引腳的 0201 電容器