ZHCUBL6 December 2023 CC3300 , CC3300MOD , CC3301 , CC3301MOD , CC3351 , CC3351MOD
3.3 射頻 (RF)
下面的圖 3-8 顯示了參考設計中的射頻部分。為了達到峰值性能，設計布局的這個區域時必須特別小心。不良布局會導致輸出功率、EVM、靈敏度和頻譜屏蔽的性能下降。
圖 3-8 是從 CC330x 參考設計文件中提取的樣圖。
圖 3-8 參考設計射頻路徑除了盡可能遵循參考設計，還請遵守下面所列的指導原則。
- 射頻布線應具有恒定的 50Ω 特性阻抗。通過根據電介質、層堆疊、接地屏幕間距和布線厚度來匹配 CPWG，從而實現此阻抗。這些參數在整個布線長度上應保持一致。
- 整個射頻布線只應位于 PCB 的頂層，并且緊挨著下面的層應是一個恒定的接地平面（XTAL 切口除外）作為布線參考。
- 射頻布線應盡可能干凈、筆直，在天線之前，除了帶通濾波器和匹配濾波器之外沒有任何元件。這是為了避免不必要的元件與元件耦合。如果不能使用直射頻布線，則可接受圓形曲線。
- 射頻布線應盡可能與其他元件隔離來減少噪聲。接地平面應環繞射頻布線，且接地過孔拼接之間的距離應小于最小波長的 1/8。
- 帶通濾波器應盡可能遠離 RF_BG 引腳（引腳 2）以及引腳 4 和 5 上的 VDDA 去耦電容器（在設計空間限制范圍內）。
- 應在帶通濾波器 (BPF) 的兩個接地焊盤之間放置一個接地過孔。應連接 BPF 兩側的接地平面，以便為整個區域啟用一個公共接地平面。在 BPF 和 PA_LDO_OUT 去耦電容器（引腳 1）之間的接地平面中，應增加接地過孔拼接。
- 射頻布線附近不應有高頻信號布線或測試點。
影響射頻性能地另一個有效因素是堆疊。例如，表 3-1 包含 BP-CC3301 設計中使用的堆疊（從上到下）。
表 3-1 所有 CC33xx EVM 中使用的堆疊（從上到下）
| 層 | 名稱 | 厚度 | εr |
|---|---|---|---|
| 頂部阻焊層 | |||
| 頂部焊接 | 1.00mil | 3.5 | |
| 1 | 頂層 | 1.85mil | |
| 電介質 1 | 5.48mil | 4.2 | |
| 2 | L02_GND | 1.26mil | |
| 電介質 2 | 42.82mil | 4.2 | |
| 3 | L03_PWR | 1.26mil | |
| 電介質 3 | 5.48mil | 4.2 | |
| 4 | 底層 | 1.85mil | |
| 底部阻焊層 | 1.00mil | 3.5 | |
| 底部阻焊層 |
來自器件的射頻信號使用共面波導 (CPW-G) 結構路由到天線。此結構為濾波器間隙實現更大程度的隔離，為射頻線路提供更好的屏蔽。為了實現 50 歐姆的阻抗，必須考慮堆疊和布線測量。圖 3-9 和圖 3-10 以 BP-CC3301 EVM 為例展示了計算布線阻抗的示例。
此圖像來自 BP-CC3301 設計文件。
圖 3-9 進行射頻布線測量的示例
圖 3-10 計算布線阻抗的示例