ZHCUB53A july 2023 – july 2023 TPSF12C1 , TPSF12C1-Q1
2.2 設(shè)置
圖 3-2 展示了一個典型的 EMI 測量設(shè)置。線路阻抗穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò) (LISN) 與每條電源線串聯(lián)，可測量包括 DM 和 CM 傳播元件在內(nèi)的總 EMI。分離器/組合器可用于從總體噪聲測量中提取 DM 和 CM 噪聲特征。
圖 2-2 單相系統(tǒng)的 EMI 測量設(shè)置交流/直流穩(wěn)壓器具有內(nèi)部高 dv/dt 開關(guān)節(jié)點，這些節(jié)點可以將 CM 噪聲容性耦合到機箱。因此，必須驗證 EMI 濾波器中的 Y 電容器是否以機箱為基準(zhǔn)，如圖 3-2 所示。然后，Y 電容器可以在緊密傳導(dǎo)環(huán)路中將 CM 噪聲電流返回到噪聲源。否則，噪聲電流會在參考接地層中流回 LISN，使得 EMI 濾波器的效率降低。
圖 3-3 展示了用于評估連接了功率級的 TPSF12C1 性能的推薦設(shè)置。
圖 2-3 用于連接了交流/直流功率級的高壓測試的 EVM 設(shè)置原理圖圖 3-3 中的兩相交錯升壓 PFC 拓?fù)浔硎镜湫偷膯蜗嘟涣?直流穩(wěn)壓器，僅用作說明。該設(shè)置本質(zhì)上與穩(wěn)壓器拓?fù)錈o關(guān)。
同時，圖 3-4 展示了專用于有源濾波器設(shè)計的低電壓測試的原理圖，包括插入損耗測量和 EMI 性能特性。這有助于在連接到高壓開關(guān)穩(wěn)壓器之前，輕松方便地驗證有源濾波器電路。良好的信號源和耦合電容器可提供 CM 激勵，以模擬與實際功率級的開關(guān)節(jié)點行為相關(guān)的 CM 噪聲源電壓和噪聲源阻抗。
圖 2-4 用于低壓測試的 EVM 設(shè)置原理圖