瞬態(tài)測試設(shè)置電路是 EVM 的一部分。

內(nèi)置瞬態(tài)負(fù)載開關(guān)（具有灌電流和拉電流能力）可用于模擬灌電流或拉電流瞬態(tài)行為以評(píng)估動(dòng)態(tài)性能。為了方面使用，負(fù)載階躍和瞬態(tài)時(shí)序都可以通過板載電阻器進(jìn)行修改。該 EVM 具有兩組連接的四個(gè)并聯(lián) 1.6Ω 電阻器，用于 VTT 到 GND 和 VTT 到 V2 的瞬態(tài)負(fù)載，以適應(yīng)拉電流和灌電流評(píng)估。電阻器 R13 可以選擇填充零 Ω 電阻器，以利用 VLDOIN 作為灌電流瞬變?cè)础Ｓ捎?VLDOIN 上引入的瞬變，此方法可能會(huì)導(dǎo)致響應(yīng)不佳，尤其是當(dāng) VDDQSNS 連接到 VLDOIN 時(shí)。

1. 移除所有外部負(fù)載。
2. 放置跳線 J14（引腳 2 和 3）源負(fù)載選擇器（標(biāo)有“EN”）。
3. 放置跳線 J15（引腳 1 和 2）灌電流負(fù)載選擇器。
4. 移除跳線 J5，將 VDDQSNS 與 VLDOIN 隔離。
5. 對(duì) VIN 施加 2.5V 電壓。
6. 對(duì) J7/J9 VLDOIN 施加 1.5V 電壓。
7. 對(duì) J16/J17 V2 施加 1.5V 電壓（這是灌電流瞬變?cè)矗?/li>
8. 對(duì) J4/J3 VDDQSNS 施加 1.5V 電壓。如果使用未與 VLDOIN 隔離的 VDDQSNS 進(jìn)行測試，請(qǐng)安裝 J10，并且僅適用于 VLDOIN（性能降低）。
9. 監(jiān)控 VTT 以確保存在 VTT 電壓。VTT 約為 750mV。
10. 對(duì) J13（引腳 2 [+]、引腳 1 [-]）施加 5V 電壓（或通過 TP15、TP16），這為瞬態(tài)負(fù)載設(shè)置提供電源。
11. 使用示波器監(jiān)視 J10 處的 VTT，以查看瞬態(tài)結(jié)果。

下圖顯示了使用為 DDR3 電壓配置的瞬態(tài)電路的結(jié)果。所有繪圖都顯示了應(yīng)用了 750mV 失調(diào)電壓后的 VTT 和 VTTREF。除了 VTT 和 VTTREF 之外，這些繪圖還包含時(shí)鐘信號(hào) (CLK)、VTTREF - VTT 之差的數(shù)學(xué)函數(shù)，以及 V2 的電流測量值。請(qǐng)注意，V2 僅代表器件灌電流時(shí)的電流。因此，在拉電流期間，該電流為零。在拉電流期間，通過 VLDOIN 提供幾乎相同的電流。

圖 3-5 顯示了灌電流和拉電流均已啟用的電路的響應(yīng)。

圖 3-5 顯示了僅施加灌電流瞬態(tài)的電路響應(yīng)。此方法可以通過僅在 J15 上安裝分流器而不在 J14 上安裝分流器來測試。

圖 3-6 顯示了僅施加拉電流瞬態(tài)的電路響應(yīng)。此方法可以通過僅在 EN 引腳 J14 上安裝分流器而不在 J15 上安裝分流器來測試。

圖 3-7 顯示了 VDDQSNS 未與 VLDOIN 隔離，但同時(shí)啟用了灌電流和拉電流的瞬態(tài)響應(yīng)。VLDOIN 上的瞬變也會(huì)影響 VDDQSNS 并導(dǎo)致不良干擾。通過在 VLDOIN 的 VDDQSNS 上實(shí)施濾波器，可以改善瞬態(tài)響應(yīng)。可以通過更換 R4 和 C3 的組件來實(shí)施該濾波器。請(qǐng)注意，由于 VLDOIN 和 VDDQSNS 瞬變，VTTREF 會(huì)出現(xiàn)較大波動(dòng)。

圖 3-4 在啟用灌電流和拉電流，并隔離 VDDQSNS 時(shí)的 DDR3 示波器圖響應(yīng)。

圖 3-5 僅隔離 VDDQSNS 并且施加 1.875A 灌電流時(shí)的 DDR3 示波器響應(yīng)圖

圖 3-6 僅隔離 VDDQSNS 并且施加 1.875A 拉電流時(shí)的 DDR3 示波器響應(yīng)圖

圖 3-7 施加 1.875A 灌電流并且具有非隔離 VDDQSNS 的 DDR3 示波器響應(yīng)圖