ZHCUAU0A january 2023 – april 2023 TPS7H3302-SEP
3.3.1 EVM 波特圖測(cè)量設(shè)置
EVM 波德圖測(cè)量的設(shè)置如下：
- 使用 Bode 100 環(huán)路分析儀或等效設(shè)備。
- 移除 J5 上的跳線，將 VDDQSNS 與 VLDOIN 隔離。要使用連接到單個(gè) VDDQ 和 VDDQSNS 的 VLDOIN 進(jìn)行測(cè)試，請(qǐng)使用可選濾波器。請(qǐng)參閱以下注意事項(xiàng)。
- 將振蕩器輸出連接到 R3=51Ω 電阻器兩端。將振蕩器輸出連接到 TP4 (VTTSNS)。
- 將分析儀的通道 2 連接到 TP5，并將地線連接到 TP2
- 將分析儀的通道 1 連接到 TP4，并將地線連接到 TP2。
- 為 EVM 提供 VLDOIN、VIN、VDDQSNS 和 VTT 負(fù)載所需的條件。
- 將 EVM 加載到所需負(fù)載后，在所需頻率范圍內(nèi)運(yùn)行波特圖。
為驗(yàn)證負(fù)載和額定工作溫度下的穩(wěn)定性，請(qǐng)?jiān)趹?yīng)用電路中安裝四個(gè) 4.7uF 陶瓷輸出電容器。
注意： 所有提供的波特測(cè)量值 VDDQSNS 均由 VLDOIN 的獨(dú)立電源提供。如果 VDDQSNS 和 VLDOIN 輸入連接到同一電源，請(qǐng)使用 EVM 上的隔離濾波器將 VLDOIN 上的負(fù)載影響與 VDDQSNS 隔離開(kāi)來(lái)。可以通過(guò)更換 R4 和 C3 的組件來(lái)使用該濾波器。
圖 3-1 至圖 3-3 顯示了此 EVM 的波特圖。所有波特圖都使用 EVM 上填充的默認(rèn) CIN 和 COUT 電容生成。CIN = 150μF 鉭 // 5μF-10μF 陶瓷，COUT = 3μF-150μF 鉭 // 4μF-4.7μF 陶瓷。
圖 3-1 DDR3 波特圖 Iload = 500mA
圖 3-2 DDR3 波特圖 Iload = 1A
圖 3-3 DDR3 波特圖 Iload = 3ATI 建議 VLDOIN 和 VDDQSNS 相互隔離。如果無(wú)法隔離 VLDOIN 和 VDDQSNS，則在 VLDOIN 和 VDDQSNS 之間添加一個(gè)外部輸入濾波器。在 VLDOIN 和 VDDQSNS 之間添加 RC 濾波器會(huì)導(dǎo)致 VTT 和 VTTREF 對(duì) VDDQSNS 的動(dòng)態(tài)跟蹤丟失。