4 EVM 配置選項

采用 DGQ 封裝的 SN6507 的引腳圖如圖 4-1 所示。

SN6507DGQEVM 旨在通過為多個外部元件提供占位符選項來靈活地評估 SN6507 器件。SN6507 引腳可配置選項、緩沖電路元件、全橋輸出配置、LDO 輸出和隔離變壓器本身都可以使用此 EVM 上的元件封裝和跳線設置進行調整。變壓器封裝 T1 與許多市售推挽式隔離變壓器兼容。EVM PCB 如圖 4-2 所示。

下面列出了 SN6507 EVM 的各種配置選項的詳細信息。

使用 RC 的引腳配置：SN6507 引腳可調特性的配置選項（包括使能、UVLO、SW1/SW2 開關頻率（CLK）、占空比控制、壓擺率調整、軟啟動時間和過流保護限制）可在 SN6507 數據表中找到。此 EVM 上的相應元件封裝如下：

• Ruv1 和 Ruv2 對應于用于 UVLO 和 EN 編程的 RENT 和 RENB

• RDC 用于占空比控制編程，并在連接 J13 的引腳 2-3 時工作。如果使用占空比控制，請確保將兼容的變壓器放置在封裝 T1 中，并使用具有足夠電感的輸出電感器代替 L1（和 L2，如果需要）

• RCLK 可用于對內部 CLK 進行編程，并在連接 J10 的引腳 3-4 時工作

• RSR 用于調整開關引腳 SW1 和 SW2 的壓擺率，并在連接 J9 的引腳 2-3 時工作

• Rilim 用于調整 SN6507 的過流保護限制

• Css 用于調整 SN6507 在上電期間的軟啟動時間

變壓器替換：默認包含一個 24V IN 到 15V OUT 變壓器來代替 T1。要評估不同的變壓器，請將此變壓器拆焊并用與 T1 封裝兼容的 6 引腳或 8 引腳推挽式變壓器替換它。

次級側緩沖器電路：默認情況下，在 R12、C15 和 R13、C16 上安裝了一個 100Ω、62pF 的 RC 緩沖電路，有助于最大限度地減少電磁輻射。這些元件是可選的，因此它們可以用其他元件替換或從 EVM 中移除，并從使用 SN6507 器件的設計中排除。

初級側緩沖器電路：初級側緩沖電路可以使用 R10、C11 和 R11、C12 的封裝來放置，以進一步減少輻射?？梢允褂?a xmlns:opentopic="http://www.idiominc.com/opentopic" class="xref" target="_blank">如何減少推挽式隔離電源中的輻射 ( (SLLA566） 中的步驟計算初級側緩沖電路值。

輸出整流器：隨附了二極管占位符 D1、D2、D4、D5 和電阻器 R9，以便系統設計人員試驗推挽式電源可以支持的不同輸出拓撲。默認情況下填充 D2 和 D5，因為這是典型的應用拓撲，SN6507 數據表中的一些示例輸出設計可在此 EVM 上進行配置，以通過在 EVM 上填充 D1 和 D4 來借助“-Vout”網絡實現雙極性或倍壓輸出。如果 R9 被移除，請確保通過斷開 J4 的引腳 1-2 來繞過輸出 LDO U1，因為 ISO_GND 電位將懸空。

鐵氧體磁珠選項：為了減少電源輸出連接到長電纜或具有高振鈴時的輻射，可以焊接鐵氧體來代替 R15、R14、R6、R7 和 R8。推薦使用在 100MHz 下具有 1kΩ 或更高阻抗的鐵氧體，例如 Würth Elektroniks 742792662。

輸入側瞬態保護：添加對 TVS3300、U3 等扁平鉗位二極管或 SMAJ36A、D7 等 TVS 二極管的規定，以保護電源輸入免受高于所需電源電平的外部瞬態影響。

輸出側瞬態保護：添加了 TVS 二極管占位符 D3 和 D6，以保護 SN6507 輸出免受高于所需輸出電源電平的外部瞬態影響。

LDO 輸出：通過使用跳線 J3 連接任一 R5x 電阻器，可以將隨附的 LM317A 配置為更改穩壓輸出電壓電平。配置 LDO 時，確保 LDO 輸入電壓在 LDO 的建議限值范圍內，并且足夠高以支持所需的輸出電壓電平和 LM317A 的壓差電壓。通過連接 J3 的引腳 1-2 可配置 15V 穩壓輸出，通過連接 J3 的引腳 2-3 可配置 12V 穩壓輸出，及通過連接 J3 的引腳 5-6 并依據Equation1 將 R5C 更改為滿足所需輸出電壓的值可配置自定義輸出電壓值。

表 4-1 顯示了一個為實現共模電壓輸出而計算的 R5C 電阻值表：

跳線配置：表 4-2詳細介紹了 SN6507DGQEVM 的跳線配置信息。