ZHCU891 May 2022 TPSI3050 , TPSI3050-Q1 , TPSI3052 , TPSI3052-Q1
2.3.1 TPSI3050-Q1
TPSI3050-Q1 是一款完全集成的隔離式開關驅動器，與外部電源開關結合使用時，可構成完整的隔離式固態繼電器 (SSR) 解決方案。當標稱柵極驅動電壓為 10V、峰值拉電流和灌電流為 1.5/3.0A 時，可以選擇多種外部電源開關來滿足各種應用。TPSI3050-Q1 可通過初級側電源自行產生次級偏置電源，因此無需隔離式次級偏置電源。而且，TPSI3050-Q1 可以有選擇性地向外部配套電路供電，以滿足不同的應用需求。在三線模式下，3V 至 5.5V 的主電源由外部提供，開關通過單獨的使能控制。
TPSI3050-Q1 特性：
- 可調節功率傳輸
- 集成式 10V 柵極電源
- 為輔助電路提供高達 50 mW 的電源 (IAUX)
圖 2-2 固態繼電器電路對于初級側，TPSI3050-Q1 設置為三線模式配置，以實現最高的可用功率傳輸。在 PXFR 引腳中使用具有 1% 容差的 20 kΩ 電阻器可提供最高的可用功率傳輸，并支持高達 50 mW 的 IAUX。建議將一個 1 uF 與一個 0.1 uF 的低 ESR 陶瓷電容并聯到 VDDP。
對于次級側，需要正確選擇 CDIV1 (C3) 和 CDIV2 (C4) 電容來驅動背對背 MOSFET。如果 CDIV1 和 CDIV2 太小，則 VDDH 中的壓降將觸發欠壓鎖定 (UVLO) 并禁用驅動器。以下兩個公式可用于計算適當的電容值。
- n 是大于或等于 1.0 的實數。
- CDIV1 是從 VDDH 到 VDDM 的外部電容。
- CDIV2 是從 VDDM 到 VSSS 的外部電容。
- QLOAD 是從 VDRV 到 VSSS 的負載總電荷。
- ΔV 是切換負載時 VDDH 上的壓降。
為本設計選擇的每個 MOSFET 的柵極電荷 (QG) 均為 31 nC。該設計使用背對背 MOSFET，因此總 QG 為 62 nC。如果 CDIV1 = CDIV2= CDIV，則必須選擇電容高于 124 nF 的 CDIV，以確保 VDDH 壓降小于 1V。使用此 Excel 計算器計算電容和電源傳輸選擇。本設計選擇了一個 1 uF 電容器，從而使 VDDH 壓降為 0.124V。