偏移誤差校正算法可以對器件進行校準，并校正該器件因處理不當或接觸污染物而出現的任何傳感器漂移。在一些情況下，器件因為進行加速老化測試、接觸化學品或處理不當而永久地出現了漂移。長時間對濕度傳感器進行高溫加熱（例如，對其進行烘烤）可以消除長期暴露在極端條件下和/或嚴重污染情況下而產生的漂移，但在很多應用中，在現場安裝傳感器后此方法并不實用。更換出現此漂移的器件會很昂貴，另外還需要技術人員花費大量的時間來更換相應的系統模塊。很多聚合物型傳感器容易出現這類漂移，因此迫切地需要尋找一種解決方案來校正此類誤差。此算法可以降低成本，并可能有助于延長產品的使用壽命。

本節將介紹校正 HDC3020 中濕度偏移所需的電氣設計、機械設計和建議布局。偏移誤差校正算法可以對器件進行校準，并校正該器件因處理不當或接觸污染物而出現的任何傳感器漂移。

此功能應該采用按需觸發模式。在該算法完成運行后，用戶可以繼續以所需的任何其他模式來運行器件。此功能適用于存在正濕度漂移的器件。

此技術采用內置的加熱器來消除該漂移。固件例程的觸發可以通過多種方式中的任何一種來實現，可供選擇的方式包括云連接的手機應用、按鈕按壓、定期觸發或僅在上電復位 (POR) 時發生。實現的確切方式由開發人員決定，同時也取決于具體應用。以下示例中使用了軟件中斷來觸發校準例程的執行。用戶可以根據需要多次運行該算法。不過，TI 建議每年運行一次該算法，或者每次懷疑器件受到某些化學品污染時運行一次。

必須在受測器件上打開加熱器并觀察可實現的最高溫度。在這方面，不同的封裝和布局都會對加熱器性能產生一定的影響。圖 3-4 介紹了可在 HDC 器件上實現的不同布局注意事項。帶有切口的 EVM 和布局只需更低的電流，即可執行偏移誤差校正算法。不過，如果布局只有很小的或幾乎沒有隔熱能力，則需要大得多的電流才能執行此命令。該器件具有 125°C 的建議最高溫度，但一些布局無法支持升至該溫度。第一步是了解器件可在給定布局下達到的最高溫度（如果首先沒有切口），然后更改布局（如果可能）來獲取最佳結果。

HDC3020s 加熱器功率設置也可以進行自定義。用戶可以根據自有工作電壓、布局和整體應用來選擇功率設置，并且這可以幫助用戶降低功耗。表 3-2 展示了經過測試的一些常見功率設置以及對應的近似功耗。如果用戶打算修改加熱器配置，則必須使用查找表來生成詳盡的功率分析。

表 3-2 記錄了 10% 至 45%RH 和 15°C 至 30°C 范圍內的值。

應當使用特性表或查找表 (LUT) 來為這些器件應用正確的濕度偏移。TI 提供了兩個建議布局的 LUT，其中一個建議布局的 LUT 可以在特定于器件的數據表中找到。另一個建議布局可以在本節末尾找到。這些表格的特點是均是使用溫度和濕度處理室（TE1007H）和高精度溫度和濕度參考（冷鏡）得到的，并且測試記錄了從初始條件直到器件達到濕度偏移的溫度升高情況。

圖 3-5 介紹了使用該 LUT 所需的步驟。運行此算法后獲得的濕度值就是必須從器件中減去來校正誤差的偏移值。您可以使用偏移寄存器來將此偏移應用到該器件。更多信息，請參閱器件專用數據表。

您可以在正常工作期間隨時執行該算法，每次運行該算法后，都會出現逐次逼近。當偏移較大時，多次運行漂移校正可能有助于降低誤差。查找表會在固件執行開始時進行初始化。在讀取環境條件數據后，該邏輯會用于挑選要用于加熱升溫截止溫度的行和列位置。

圖 3-6 展示了一個示例，供快速了解如何從 LUT 選擇總溫升，以及應該從偏移寄存器中減去什么值。在圖 3-6 中，Rx（第一列）表示加熱器啟動前器件測得的濕度 %RH 設定點。CX（第一行）表示加熱器運行前器件測得的溫度。

下面介紹了基于兩個獨立布局的查找表。如果您的布局具有相似的厚度、類似切口以及相同的隔熱性能，則可以使用這些查找表。