2 輸出電壓壓擺率控制

這種方法是在柵極與 GND 之間放置電容器 (C)，柵極的壓擺率和輸出電壓可以限制浪涌電流。具有輸出電壓壓擺率控制的電路配置如圖 3 所示。

方程式 1 和方程式 2 用于計算啟動時的浪涌電流和功率耗散：

由于 MOSFET 在飽和區域運行，因此浪涌電流應足夠低，使啟動期間功率耗散保持在其安全工作區 (SOA) 以內。當 MOSFET 的功率耗散降低并存在較長的時間段時，MOSFET 可以處理更多能量 (1/2 C_OUTV_IN²)。因此，浪涌間隔需要延長，以便支持更高的容性負載。

這種方法適合慢充電要求（例如 5mF 和 50ms），但設計必須始終考慮 C_OUT、FET SOA、充電時間和工作溫度之間的權衡。例如，使用 TI 的高側開關控制器 TPS1211-Q1 作為柵極驅動器，將 5mF 充電至 12V 需要 40ms（浪涌電流限制為 1.5A）。參考資料 [1] 復述了如何使用此方法在啟動期間檢查 FET SOA 的過程，而參考資料 [2] 是用于估算特定 MOSFET 的 SOA 裕度的在線工具。