ZHCT462 February 2024 LMG2100R044 , LMG3100R017
隨著技術(shù)的迅速發(fā)展,人們對電源的需求亦在不斷攀升。為了可持續(xù)地推動上述發(fā)展,諸如太陽能等可再生能源越來越多地用于電網(wǎng)供電。同樣,為了實(shí)現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)處理、大數(shù)據(jù)存儲以及人工智能 (AI),服務(wù)器的需求正在呈指數(shù)級增長。鑒于全球趨勢,設(shè)計(jì)人員面臨著一項(xiàng)重大挑戰(zhàn):如何在保持設(shè)計(jì)效率提升的同時(shí),在相同的尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的功率。
這一挑戰(zhàn)已經(jīng)推動了氮化鎵 (GaN) 在高壓電源設(shè)計(jì)中的廣泛應(yīng)用,原因在于 GaN 具有兩大優(yōu)勢:
除了業(yè)界已經(jīng)采用的高壓 GaN(額定值 >=600V)外,新的中壓 GaN 解決方案(額定值 80V-200V)也日益受到歡迎,可在高壓 GaN 之前無法支持的電源系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和效率。
在這篇文章中,我將詳述四個主要的中壓應(yīng)用領(lǐng)域,這些領(lǐng)域正在逐漸采用 GaN 技術(shù)。
太陽能是發(fā)展最快的可再生能源,從 2021 年到 2022 年增長了 26%,預(yù)計(jì)在未來七到八年內(nèi),太陽能利用將以大概 11.5% 的復(fù)合年增長率發(fā)展。隨著太陽能電池板安裝數(shù)量的增加,人們對系統(tǒng)效率和功率密度的需求也將隨之增長,因?yàn)檫@是一種對空間需求較高的技術(shù)。?對于太陽能電池板子系統(tǒng)而言,LMG2100R044 和 LMG3100R017 器件有助于將系統(tǒng)尺寸縮小 40% 以上。
太陽能主要通過太陽能電池板的兩種子系統(tǒng)得以實(shí)現(xiàn):一種是升壓級后跟逆變器級,將直流電壓范圍轉(zhuǎn)換為交流電壓(如圖 1 所示);另一種是降壓和升壓級,其中電源優(yōu)化器將不斷變化的直流電壓轉(zhuǎn)換為常見的直流電壓電平(利用最大功率點(diǎn)跟蹤),以輸送到串式逆變器(如圖 2 所示)。
圖 1 微型逆變器方框圖
圖 2 電源優(yōu)化器方框圖考慮到我們?nèi)蕴幵谌斯ぶ悄芨锩某跗陔A段,為了運(yùn)行復(fù)雜的機(jī)器學(xué)習(xí)算法并實(shí)現(xiàn)更大、更復(fù)雜數(shù)據(jù)集的存儲,服務(wù)器的需求將呈指數(shù)級增長。要求每個級的效率 >98% 的高密度設(shè)計(jì)將能夠滿足這些增強(qiáng)型處理和存儲需求。
如圖 3 所示,服務(wù)器電源應(yīng)用中的三個主要系統(tǒng)可以采用 100V 至 200V 的 GaN:
圖 3 服務(wù)器電源方框圖在電信無線電設(shè)備中,電源有可能采用 GaN 設(shè)計(jì)。由于無線電設(shè)備通常安置在戶外,僅依賴自然冷卻,因此高效率顯得尤為重要。此外,隨著移動網(wǎng)絡(luò)(如 5G、6G)的逐步發(fā)展,加快網(wǎng)絡(luò)速度和數(shù)據(jù)處理的需求也在增加,因此需要具有極低損耗的高密度設(shè)計(jì)。LMG2100 有助于將此類設(shè)計(jì)的功率密度提高 >40%。
在典型的中壓應(yīng)用中,GaN 轉(zhuǎn)換負(fù)電池電壓電平(通常為 -48V)的電源,利用反向降壓/升壓或正向轉(zhuǎn)換器拓?fù)錇楣β史糯笃魈峁?+48V 電源,或者利用降壓轉(zhuǎn)換器拓?fù)錇楝F(xiàn)場可編程門陣列和其他直流負(fù)載供電。
沒錯,您可以在電機(jī)驅(qū)動電路中使用 GaN,其應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,包括具有不同負(fù)載曲線的機(jī)器人、電動工具驅(qū)動以及兩輪牽引逆變器設(shè)計(jì)等。GaN 的零反向恢復(fù)特性(因?yàn)椴淮嬖隗w二極管)導(dǎo)致二極管反向偏置電流沒有穩(wěn)定時(shí)間,從而降低了死區(qū)損失,提高了效率。如前所述,GaN 的開關(guān)頻率更高,電流紋波更低,這樣就可以減小無源器件的尺寸,從而實(shí)現(xiàn)更時(shí)尚的電機(jī)驅(qū)動設(shè)計(jì)。
圖 4 展示了如何在電機(jī)驅(qū)動單元中添加 GaN。
圖 4 電機(jī)驅(qū)動單元方框圖在各種中壓應(yīng)用中,GaN 有潛力取代傳統(tǒng)的硅 FET。100V 至 200V GaN 的其他應(yīng)用領(lǐng)域包括通用直流/直流轉(zhuǎn)換、D 類音頻放大器,以及電池測試和化成設(shè)備。此外,GaN 還能提供更高的開關(guān)頻率和更低的功率損耗,這些優(yōu)勢在簡化電源設(shè)計(jì)的集成電源級中尤為突出。