4 非陶瓷電容器

對于必須避免使用 MLCC 的應用，存在其他電容器技術。我們也使用了 TLV320ADC6140 EVM^[3] 搭配以下電容器類型執行了 THD+N 測試：

• 標準 1μF 0805 X5R 電容器。
• 1μF 表面貼裝技術 (SMT) 鉭電容器。
• 1μF 穿孔鋁電解電容器。
• 1μF SMT 薄膜電容器。

圖 4 顯示了該測試的數據。正如預期的那樣，1μF SMT 薄膜電容器在整個音頻帶寬內提供最佳性能，電解電容器次之。該薄膜電容器采用 1206 表面貼裝封裝，包含金屬化丙烯酸電介質，并具有 12V 額定電壓。

執行測試時，其他包含聚酯和聚丙烯電介質以及具有更高額定電壓的 1μF 薄膜電容器與圖 4 中所示的性能沒有明顯偏差。薄膜電容器的主要缺點是其相對介電常數較低。因此，薄膜電容器往往比對應的 MLCC 電容器大得多。

在文章發布時，該測試中使用的 1206 電容器是現成可用的最小表面貼裝 1μF 薄膜電容器。大于 3.3μF 的表面貼裝薄膜電容器將需要 1810 或更大的封裝，或傳統的穿孔盒式封裝。

另一方面，鉭和鋁電解電容器往往比薄膜電容器更小。電解電容器具有極化電介質，這意味著其陽極必須保持比陰極更高的電壓，否則電容器可能會損壞。對這些電容器進行的兩組測量可以論證電解效應。第一項測試對電容器施加了 +5V 直流偏置以確保極性正確。第二項測試沒有應用外部偏置，但用于測試的 TLV320ADC6140 在內部將其輸入偏置為 1.5V，因此這些電容器實際上略微反向偏置。由于這種內部偏置，在 +5V 測試用例的評估模塊輸入端提供的是 +6.5V 電壓。通過比較這兩組數據可以看出，當極化電容器未正確偏置時，性能會有顯著差異。高性能應用必須保證正直流偏置，或避免使用極化電容器進行交流耦合。

這項測試并非詳盡無遺；僅用于對不同電容器技術的性能提供一些大致分析。影響電容器性能的因素有很多，因此應根據應用需求仔細選擇電容器。關于電容器的最佳指標，音頻社區存在很多爭論。本文重點介紹了電容器差異如何影響實際應用中的失真。

圖 5 顯示了用于測試的電路板，表 2 顯示了此測試中包含的所有電容器及其各自的特性。