如果運算放大器采用瞬態(tài)觸發(fā)保護方案，則也可能發(fā)生 EOS 事件。但是，邊沿觸發(fā)運算放大器的保護方法有別于雙二極管保護方案。在邊沿觸發(fā)保護中，ESD 單元僅在特定 dv/dt 電平下觸發(fā)。

在此，肖特基二極管更適合用于保護。肖特基二極管具有高速開關特性，是應對 ESD/EOS 浪涌的首選。由于邊沿觸發(fā)二極管保護結構未設有觸發(fā)電壓，因此肖特基二極管有助于檢測浪涌事件，引導絕大部分（若非全部）浪涌電流通過二極管。肖特基二極管具有約 0.3V 的低正向偏置電壓。理想情況下，所加裝肖特基二極管的正向偏置壓降必須低于內部二極管。由此即可讓絕大部分 EOS 電流流經外部二極管，從而降低運算放大器損傷概率。

圖 5-5 展示了一個同相配置的運算放大器。輸入端加裝了 R_p 以及兩個肖特基二極管。通過加裝與肖特基二極管串聯(lián)的 R_p，即可進一步限制浪涌事件中流經運算放大器的電流。

然而肖特基二極管具有較高的漏電流。因此當該特性成為關鍵設計要素時，則必須考慮選用其他二極管。在本例中，由于僅有輸入側存在外部連接，因此設計只采用了輸入保護。外部連接更容易發(fā)生 EOS 事件。這方面的案例包括高感應電壓或工廠自動化中常見的長傳感器引線。

某些情況下，需要保護運算放大器的輸出（請參閱 圖 5-6）。下圖展示了可供使用的類似電路。在此情況下，選擇 R_p 時應確保 R_p 不會限制運算放大器的輸出擺幅。通常，選用 10Ω 到 20Ω 之間的電阻即可實現(xiàn)良好的保護效果和功能。另請注意的是 R_p 位于反饋環(huán)路內。這樣即使 R_p 上出現(xiàn)壓降，也能保持精確的輸出電壓。最后需要注意，由于 R_F 的值通常遠大于 R_p，因此通過 R_F 流向電路輸入端的電流極低。

與所有電路一樣，設計也需要權衡取舍。電路引入保護措施也會給系統(tǒng)帶來噪聲。在設計電路時，應考慮噪聲、元件占位面積等因素。但是，這些考慮事項超出了本文的討論范圍。有關如何顯著降低噪聲的更多詳細信息，請參閱該論文，了解如何在保護運算放大器的同時大幅降低噪聲。