ZHCAF99 April 2025 LM74610-Q1
4 基準測試和結果
圖 4-1 顯示了具有耗盡型 MOSFET 的 LM74610-Q1 旁路功能應用原理圖，圖 4-2 顯示了演示板頂視圖，其中包含測試修改和設置。
圖 4-1 具有耗盡型 MOSFET 的 LM74610-Q1 旁路功能應用原理圖
圖 4-2 具有耗盡型 MOSFET 的 LM74610-Q1 旁路功能演示板圖 4-3 展示了采用 40V LM74610-Q1 控制器的 60V 旁路開關設計的測試結果。使用合適規格的 MOSFET（Q1 和 QD），輸入電壓范圍可以擴展至 FET 的 VDS 額定值。這樣可以使用同一低壓控制器實現高壓設計。此外，擴展輸入電壓范圍在企業、通信、電動工具和高壓電池管理應用中也非常有用。
圖 4-3 使用 LM74610 和耗盡型 MOSFET 的 60V 旁路電路的測試結果| 60V 旁路 | 具有耗盡型 MOSFET 的 LM74610-Q1 | ||
| VIN 從 60V 斜升至 0V | |||
| 器件陰極引腳后跟 (VIN + VT_QD) | |||
| 有效 VANODE –V CATHODE 鉗位至 FET QD 的 VT | |||