ZHCAF99 April 2025 LM74610-Q1
2.2 設計 2 - 使用 MOSFET
如 圖 2-2 所示，為了克服二極管設計中的高功率損耗的缺點，另外可以選擇使用壓降或功率損耗（由于 Rdson 較低）要低得多的 MOSFET。不過，仍然有一些缺點，
- MOSFET 不是獨立的設計，開啟或關閉需要 MCU 控制。
- MCU 控制需要 PV 電池板供電，如果 PV 電池板嚴重損壞或完全被遮光覆蓋，則 MCU 無法工作，然后 MOSFET 無法正確導通。
- 在 MCU 無法工作或失控的情況下，MOSFET 不會導通，現在旁路路徑是寄生二極管。但是，寄生二極管不能承受大電流，而且會累積大量熱量，最終存在火災隱患。
圖 2-2 旁路電路的 MOSFET 設計