要確保穩健的抗 EMI 性能，首先要有一個良好的布局，不僅適用于 TMCS112x/3x，還適用于 PCB 上的所有元件。一般而言，包含四層或更多層的電路板提供了理想的返回路徑方案，因為內層上的接地平面為所有信號提供了專用的返回路徑；無論布線（無論是信號布線還是電源布線）鋪設在何處，信號正下方總是存在一條返回路徑。然而，較新的設計不斷將更高的功率推向 PCB，因此需要采用新技術來幫助管理熱問題。這可能會使內層平面復制導致對接地平面進行分段，或設計將層數減少到兩層，從而進一步降低系統成本。盡管阻止 EMI 干擾源是最好的做法，但此舉并非總是可行。在這些情況下，可以實現抗 EMI 設計，但必須考慮額外的步驟和最佳實踐，以確保為性能而設計。通常，妥善做法是在信號正下方鋪設返回路徑。此外，在設計中布置 TMCS112x/3x 時，應考慮以下最佳實踐：

• 如果可能，請使用四層電路板。在內層上創建一個接地平面，以便為外層上布線的所有信號提供干凈的返回路徑。
  • 妥善做法是完全不要在接地位置進行布線。如果必須 要在接地位置布線，請務必優化布線布局，以盡可能減少接地平面的分離，因為這可能會將返回路徑重新路由到不需要的區域，或增加信號中的環路尺寸
• 盡可能將器件與高 EMI 源隔離。快速開關電感器環路和高電壓開關節點是最大的關注點。
  • 電感隨長度增加，隨寬度減小。因此，高頻電流路徑需要盡可能寬且短。
• 為了實現最低的 ESR，例如出色的高頻響應，所有電容器的大小都需要調整為 0402 或 0603。通常，尺寸較小的器件可以產生極低的寄生效應，因此，這些較小的選項往往在高 EMI 環境中表現更好。
  • 至少要確保在器件的 V + 和接地引腳之間使用一個旁路電容器。
  • 如果使用多個旁路電容器，請確保將最低電容（以最高頻率為目標）放置在最靠近器件的位置。執行此操作是為了確保在到達器件之前刪除所有 HF 內容。如果最低電容放置在距離器件最遠的位置，HF 內容可能會耦合到電容器之外的布線上，然后遷移到器件中。
• 如有可能，用相應的返回路徑屏蔽信號布線。大多數情況下，這可以是公共 GND。這項技術有助于降低非屏蔽布線對天線的影響。圖 3-11提供了一個與此相關的示例。

對于同時存在較高 CM 噪聲的設計，可以使用通過接地的其他隔離技術。圖 3-12 展示了一個隔離 TMCS112x/3x 的 GND 的示例。這種技術能夠有效地切斷器件發出的噪聲系統 GND，并確保 CM 噪聲不會耦合到器件中。如果系統中不存在 CM 噪聲，則 TMCS112x/3x 可以正常以 GND 為基準，并且不需要電容器 C8。如果使用此技術，還需要注意以下實踐：

• 鐵氧體磁珠 (L1、L2、L4、L5) 的尺寸需要盡可能大，從而更大限度地增加 GND 平面之間的空間。
• GND (C8) 之間的 100pF 拼接電容器 為高頻輻射噪聲提供了一條返回路徑
  • 如果沒有該電容器，輻射噪聲可能會耦合到 TMCS GND 平面，并出現通向 MCU GND 的高阻抗返回路徑。
  • 這會捕獲 HF 噪聲并強制噪聲耦合到器件引腳中，因為這些引腳的阻抗低于鐵氧體磁珠。
  • 該電容器在 HF 處提供低阻抗路徑，將噪聲返回到 MCU GND。
• 僅當在系統中測得 CM 噪聲時，才需要輸入電容器 C1、C5 和 C6。請為該原理圖中的所有元件放置焊盤以進行故障排查。
• 雖然布局中未顯示共模扼流圈，但可使用共模扼流圈代替 L1 和 L4，以進一步限制共模噪聲進入器件。此處不需要同時使用鐵氧體磁珠和扼流圈，否則只會進一步增加成本和元件數量。