ZHCAEY1 January 2025 AMC131M02 , AMC3330 , ISO7731
2.1 單一開關拓撲
使用 topo1-一個開關檢測絕緣。在高壓側采樣，S1 可使用能承受高電壓的干簧繼電器和信號繼電器等。S2 可以選擇固態繼電器或 Photo MOS，并由 UIR 控制。
根據 ESS 法規，介電強度測試根據器件的耐受電壓或隔離要求進行了細分，具體如下所示：
圖 2-1 單開關拓撲 (topo1)
圖 2-3 Topo1- 通信和 PE②4380V
圖 2-5 Topo1-高壓和通信④4380V
圖 2-2 Topo1-高壓 (BAT+/BAT-) 和 PE①5880V
圖 2-4 Topo1-高壓和低壓 (MCU)③4380V
圖 2-6 Topo1-低壓和通信⑤4380V表 2-1 最大器件規格
| 器件規格 | 耐受電壓(V) |
|---|---|
| 干簧繼電器 | 5880V |
| 隔離器 | 4380V |