摘要

無(wú)刷直流電機(jī)是通過(guò)電氣換向進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的三相電機(jī)。通過(guò)向定子線圈施加電壓生成磁場(chǎng)，該磁場(chǎng)與轉(zhuǎn)子磁場(chǎng)相互作用，從而使轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn)。換向所需的輸入信號(hào)來(lái)自控制器，通過(guò)功率級(jí)進(jìn)行放大后，將功率傳遞到電機(jī)各相。用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)的功率級(jí)通過(guò)控制每相的 MOSFET 半橋開(kāi)通或關(guān)斷實(shí)現(xiàn)。電機(jī)驅(qū)動(dòng)器是基于多種 PWM 調(diào)制技術(shù)切換 MOSFET 的功率轉(zhuǎn)換器，通過(guò)調(diào)制后的 PWM 電壓驅(qū)動(dòng) BLDC 電機(jī)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)速度、扭矩和位置的控制。

市場(chǎng)上的主流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)方式，按照架構(gòu)可分為以下兩類（在本技術(shù)報(bào)告中進(jìn)行了詳細(xì)討論）。

1. 三相 BLDC 驅(qū)動(dòng)器
2. 半橋驅(qū)動(dòng)器

本應(yīng)用手冊(cè)介紹了這兩種架構(gòu)的主要區(qū)別及優(yōu)缺點(diǎn)。三相架構(gòu)具有更高的半橋集成度，便于在單個(gè)封裝中實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，但可能存在信號(hào)完整性問(wèn)題。而采用三組單獨(dú)的半橋設(shè)計(jì)則需要更多的本地?zé)o源器件，但能夠在 MOSFET 放置方面提供靈活性，從而改善信號(hào)完整性并減少布線電感的影響。