ZHCAEQ5 November 2024 DRV8161 , DRV8162
3.2.1.1 MOSFET 放置
通過采用三個獨立的單半橋設計，可以將每相的驅動 IC 盡量貼近其對應的 MOSFET 放置。這樣可以提高信號完整性并減少柵極和源極節點上的寄生效應。
- 源極節點瞬態或振鈴的改善：
更短的柵極或源極路徑有助于減小布線電感的影響，從而降低源極節點振鈴的影響，減少總環路電感，提高 EMI 性能。
寄生效應減弱后，源極電壓驟降或瞬態會更小。圖 3-2 展示了相位電壓切換時可能出現的振鈴
圖 3-2 顯示振鈴的電機驅動器相位輸出波形- 信號完整性的優化：
如果功率級信號的測量路徑變短（例如信號源到驅動器測量點之間的路徑），信號完整性會顯著提升（圖 3-3）。
由于 CSA 在物理上更靠近檢測電阻，因此驅動器在分流電阻上檢測到的電流會更準確。
過流保護中的 VDS 測量也是在驅動器的柵極和源極引腳上完成的。如果驅動器和 FET 之間的漏源電壓差異很大，VDS 監測值將不準確。因此，將 MOSFET 靠近驅動器放置，可以減小寄生電感，降低柵極信號的過沖或振鈴影響。
圖 3-3 MOSFET 放置對信號完整性的影響
注： 如圖 3-3 所示，由于布線長度較小，L1 和 L2 的電感會明顯低于 L3 和 L4。L3 和 L4 由于路徑較長，也更容易受到其他信號耦合的影響。