ZHCAEK1 October 2024 LM5148-Q1 , LM70880-Q1
5.1 功率 MOSFET 選型
雖然控制器設計擁有設計靈活性，但這通常也意味著更高的設計復雜性，其中一個方面是 MOSFET 選擇。MOSFET 的選擇對控制器設計的性能有重大影響，并且必須考慮各種規格，包括：
- MOSFET 導通狀態電阻或 RDS(on)，此規格決定功率損耗和熱性能
- 寄生電容，此規格可縮短轉換時間并降低開關損耗
- 柵極驅動器電壓，控制器 IC 的額定值各不相同，并確定是否可以使用邏輯和/或標準 MOSFET
選擇合適的功率 MOSFET 需要花費大量的時間和設計精力。表 5-1 是數據表中顯示的典型表，其中概述了在為控制器設計選擇 MOSFET 時必須考慮的所有功率損耗。轉換器會跳過此設計流程，并能更好地表征其性能。
表 5-1 MOSFET 功率損耗
| 功率損耗模式 | 高側 MOSFET | 低側 MOSFET |
|---|---|---|
| MOSFET 導通 |  |  |
| MOSFET 開關 |  | 可忽略 |
| MOSFET 柵極驅動 |  |  |
| MOSFET 輸出電荷 |  | 可忽略 |
| 體二極管 導通 | 不適用 |  |
| 體二極管 反向恢復 |  | |