ZHCADX7B October 2011 – March 2024 LM5113
3.1 性能特征
圖 4-1 顯示了 LM5113 評估板在不同輸入電壓和負載電流下的效率。LM5113 的 HI 和 LI 輸入之間選用 30ns 死區時間來消除擊穿并實現高效率。
圖 3-1 評估板效率與負載電流之間的關系在死區時間期間，HS 引腳電壓會被拉低至 -0.7V 以下，從而導致過大的自舉電壓。LM5113 具有內部鉗位電路，通常可防止自舉電壓超過 5.25V。圖 4-2 顯示了不同負載電流下的自舉電壓平均值。可以看到，自舉電壓得到了良好調節。
圖 3-2 自舉電壓調節與負載電流之間的關系圖 4-3 比較了低側驅動器的輸入和輸出。
條件：輸入電壓 = 48V 直流，負載電流 = 5A 跡線：頂部跡線：低側 eGaN FET 的柵極，Volt/div = 2V 底部跡線：LM5113 的 ?LI，Volt/div = 5V 帶寬限制 = 600MHz 水平分辨率 = 0.2μs/div
圖 3-3 低側驅動器的輸入和輸出圖 4-4 顯示了開關節點電壓，該電壓也是低側 FET 的漏極電壓。可通過 HOH 柵極電阻器降低開關節點電壓上的振鈴。對于 60V 輸入，選擇 2Ω HOH 柵極電阻來實現 12V 漏極-源極電壓裕度。
條件：輸入電壓 = 48V 直流，負載電流 = 10A 跡線：跡線：開關節點電壓，Volts/div = 20V 帶寬限制 = 600MHz 水平分辨率 = 50ns/div
圖 3-4 開關節點電壓圖 4-5 顯示了負載瞬態響應。負載在 2A 和 10A 之間變化。800kHz 開關頻率允許使用 2.7μH 的小型電感器，這有助于改善大信號瞬態響應。
條件：輸入電壓= 48V 直流，輸出電流 = 2A 至 10A 跡線：頂部跡線：負載電流，Amp/div = 5A 底部跡線：輸出電壓 Volt/div = 100mV，交流耦合帶寬限制 = 20MHz 水平分辨率= 0.2ms/div
圖 3-5 負載瞬態響應圖 4-6 顯示了測得的整體環路響應。交叉頻率為 46kHz，相位裕度約為 55°。
條件：輸入電壓 = 48V 直流，輸出電流 = 10A
圖 3-6 環路增益和相位