我們分析一下為什么高占空比會導(dǎo)致自舉二極管中產(chǎn)生高電流應(yīng)力，首先假設(shè)不涉及電源 V₂。以優(yōu)化器為例，在從降壓模式到直通模式的轉(zhuǎn)換過程結(jié)束時，高側(cè) FET 占空比接近 100%，低側(cè) FET 占空比接近 0%，圖 3-1 顯示了 PWM 信號的時間圖。在轉(zhuǎn)換期間有四種運行模式。圖 3-2 顯示了系統(tǒng)的等效電路。

• 藍(lán)線：低側(cè) MOSFET 柵源 PWM 信號
• 綠線：高側(cè)柵源 PWM 信號

在實際應(yīng)用中，產(chǎn)生這些電源的常用方法是使用具有多個繞組的 Fly-Buck 或反激式拓?fù)洹＜僭O(shè)兩個電源由不同的繞組產(chǎn)生，并且分別連接到 VDD、GND、HB 和 HS。為了便于理解，下面對不同模式進(jìn)行了分析。