成功布局的關鍵是了解電路，您可以通過確定以下關鍵元件來了解電路：

• 高 di/dt 路徑
• 高 dv/dt 節點
• 敏感布線

圖 2-3 展示了 BQ25710 應用示意圖中的高 di/dt 路徑。最主要的高 di/dt 環路是輸入開關電流環路和輸出開關電流環路。輸入環路由一個輸入電容器和兩個 MOSFET（Q1 和 Q2）組成，輸出環路由一個輸出電容器和兩個 MOSFET（Q3 和 Q4）以及返回路徑組成。

圖 2-3 BQ25710 應用示意圖 - 確定高 di/dt 環路、高 dv/dt 節點和敏感布線

高 dv/dt 節點是那些具有快速電壓轉換的節點。這些節點包括開關節點（SW1 和 SW2）、自舉節點（BTST1 和 BTST2）以及柵極驅動布線（HIDRV1、LODRV1、HIDRV2 和 LODRV2）。開關節點的面積需要盡可能大，但考慮到電氣噪聲原因，開關節點面積又需要盡可能小。如果 SW1 和 SW2 覆銅區過大，高 dv/dt 噪聲信號可能會通過電容耦合特性耦合到附近的其他布線，從而引起 EMI 問題。

從 R_AC、R_SR 到 IC 引腳（ACP、ACN、SRP 和 SRN）以及補償元件（COMP1 和 COMP2）的電流檢測布線是噪聲敏感布線。為了獲得良好的布局性能，應優化高 dv/dt 節點的表面積，使噪聲敏感布線遠離電路的嘈雜（高 di/dt 和 dv/dt）部分，并盡可能減小其環路面積。