將 REGN 電容器 (C30)、VBUS 電容器 (C25)、VDDA 電容器 (C29) 靠近 IC 放置，如圖 2-6 所示。對 VBUS、VDDA 電容器使用 AGND，并對 REGN 電容器使用 PGND，因為 REGN 引腳分配適用于功率級柵極驅動。由于 REGN 電容器為 BQ25710 中的驅動器電路提供低阻抗路徑，因此將 REGN 電容器靠近 IC 放置，以便保持超低阻抗源，從而實現 IC FET 驅動器所需的快速 di/dt。

將高側 FET 自舉電路電容器放置在靠近 IC 的位置并位于 PCB 的同一層上。如圖 2-7 所示，建議 SW1/2 節點上的電容器使用寬銅多邊形連接到功率級，建議 BTST1/2 節點上的電容器使用至少 8mil 的布線連接到 BTST1/2 引腳，以便降低線路寄生電感。信號引腳的另一個 R/C 必須放置在靠近 IC 的位置，并遠離高頻噪聲。在 R/C 附近增加接地過孔，以便將信號的接地連接至接地平面。