除了導(dǎo)致 DM 噪聲電流的高 di/dt 之外，SW 節(jié)點(diǎn)上的高 dv/dt 還可以通過(guò)寄生電容 CP 將位移電流耦合到接地端。此耦合噪聲電流隨后由同方向的電力線和 GND 線返回，從而產(chǎn)生 CM 噪聲。

圖 2-5 顯示了 CM 噪聲的傳播路徑。可以觀測(cè)到，EMI 濾波器（Lf 和 Cf）不會(huì)有效地阻礙 CM 噪聲的傳播，除非在輸入線上添加共模扼流圈 (LCM)。但是，這種解決方案會(huì)增加系統(tǒng)成本和解決方案尺寸，在某些應(yīng)用中可能不可行。

CM 噪聲受 dv/dt 和 Cp 的影響。它可以表示為電壓源驅(qū)動(dòng)模型，如圖 3-22 所示。通過(guò)添加帶有 Cboot 的串聯(lián) Rboot 以降低 dv/dt 壓擺率，或通過(guò)盡可能減小 SW 節(jié)點(diǎn)面積來(lái)降低 Cp，可以減少噪聲源。