ZHCAD97 October 2023 AMC23C11 , UCC23513
圖 3-2 顯示了使用 15V 單極電源來驅動 IGBT 的設計原理圖。通過一些微小的更改，此設計可以適用于功率 MOSFET 驅動或雙極電源應用的 12V 電源設計。有關更多詳細信息，請參閱參考設計 TIDA-00448。
電阻器 R9 至 R14 和高壓二極管 D1 用于檢測導通期間 IGBT 的實際 VCE，并根據隔離式比較器 AMC23C11 的基準電壓 VREF 對其進行調整。R10 和 R11 并聯來分散功率損耗。
與 R14 并聯的電容器 C14 會設置消隱時間，以避免 IGBT 導通期間出現誤觸發。添加了 5.1V 齊納二極管 D2 選項，用于抑制可能因 IGBT 開關而引起的高壓尖峰。請注意，D2 的內部電容將與 C14 并聯，并影響消隱時間。在我們的測試中，我們沒有組裝此 D2。建議使用具有低內部電容的快速開關二極管 D1，以避免誤觸發 DESAT 并盡可能縮短所需的消隱時間。
低壓側使用 3.3V 電源來直接連接 C2000TM 和 Sitara MCU 等常用 MCU 的 I/O 電平。在 LATCH 未激活的情況下，R6 和 C11 為比較器的輸出設置抗尖峰脈沖延遲（默認值為 0.2μs）。