如圖 2-1 中所示，使用陶瓷旁路電容器 C_BYPS，最小電容為 10μF。必須考慮額定電壓，因?yàn)樵撾娙萜鲗⒊惺艿扔?V_IN 和 V_OUT 之間的完整電壓范圍的應(yīng)力。

為了使系統(tǒng)保持穩(wěn)定，必須有一個(gè)輸入電源電容器來(lái)幫助抑制可能耦合到電路中的高頻噪聲。具有中等 ESR 的電解電容器有助于抑制長(zhǎng)電源引線引起的任何輸入電源振鈴。使用 TPSM63610EVM 時(shí)，必須在 V_IN 和 SYS_GND 之間添加 C_BULK 電容器。

考慮到添加 C_BYPS 電容器會(huì)引入從 V_IN 到 V_OUT 的交流路徑，并可能導(dǎo)致瞬態(tài)響應(yīng)惡化。將 V_IN 施加到電路時(shí)，旁路電容器上的此 dV/dt 會(huì)產(chǎn)生一個(gè)必須返回接地以完成環(huán)路的電流。該電流可能流過(guò) MOSFET 的內(nèi)部低側(cè)體二極管和電感器，再返回地。對(duì)于這種情況，建議在 -V_OUT 和 SYS GND 之間放置一個(gè)肖特基二極管。如果預(yù)計(jì)會(huì)出現(xiàn)較大的線路瞬變，請(qǐng)?jiān)龃筝敵鲭娙菀允馆敵鲭妷罕３衷诳山邮艿碾娖椒秶鷥?nèi)。

圖 2-1 TPSM63610 反相降壓/升壓原理圖