功率 MOSFET 的選擇對直流/直流控制器性能有很大影響。具有低導通電阻 RDSon 的 MOSFET 可以減少導通損耗，而低寄生電容和低柵極電荷參數可以降低開關損耗。通常，RDSon 和柵極電荷成反比。對于相對較高的開關頻率，MOSFET 開關損耗占主導地位。對于相對較低的開關頻率，導通損耗占主導地位。
影響 LM5123 MOSFET 選擇的主要參數如下：
- VGS 為 5V 時的 RDS(on)。
- 漏源電壓額定值 BVDSS，取決于負載電壓范圍。
- VGS 為 5V 時的柵極電荷參數
- 高側 MOSFET 的體二極管反向恢復電荷 QRR。
表 2-2 中總結了與 MOSFET 相關的功率損耗。這里考慮了電感紋波的影響，但未對開關節點振鈴和寄生電感等二階影響建模。
表 2-2 升壓穩壓器 MOSFET 功率損耗
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低側 MOSFET |
高側 MOSFET |
| MOSFET 導通 |
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| MOSFET 開關(2) |
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可忽略 |
| 體二極管導通 |
不適用 |
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| 體二極管反向恢復損耗(1) |
不適用 |
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| 柵極驅動損耗 |
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(1) MOSFET 體二極管反向恢復電荷 (QRR) 取決于很多參數，包括正向電流、電流轉換以及速度。
(2) tRISE 和 tFALL 是開關節點的上升時間和下降時間。這些值取決于許多參數，例如總開關節點電容。開關節點的布局會影響這些值。