將控制器盡可能地靠近功率 MOSFET 放置以盡可能地縮短柵極驅動器布線，如此一來，與模擬和反饋信號以及電流檢測相關的分量便可以通過如下方式加以考慮：

• 分離電源和信號跡線，并使用接地平面來提供噪聲屏蔽。
• 將與 COMP、FB、SLOPE、SS/ATRK 和 RT 相關的所有敏感模擬布線和元件放置在遠離如下高壓開關節點的位置，以避免相互耦合：
  • SW1
  • SW2
  • HO1
  • HO2
  • LO1
  • LO2
  • HB1
  • HB2

• 使用內部層作為接地平面。特別注意將反饋 (FB) 跡線與電源跡線和元件隔離開來。
• 以差分對形式布放 CSA 和 CSB 以及 ISNSP 和 ISNSN 跡線，從而更大限度地減少噪聲拾取，并使用開爾文連接方式連接到適用的分流電阻器。將這些檢測信號的濾波器元件放置在靠近控制器的位置，以更大限度地減少其后的噪聲拾取。
• 將上反饋電阻器和下反饋電阻器靠近 FB 引腳放置，從而使 FB 跡線盡可能短。將跡線從上反饋電阻器布放到輸出電壓感測點上。