要獲得良好的布局，首先需要確定以下關鍵元件：

• 高 di/dt 環路或熱環路。
• 高 dv/dt 節點。
• 敏感布線。

圖 2-1 確定高 di/dt 環路、高 dv/dt 節點和敏感布線

圖 2-1 展示了 LM5177 轉換器控制器中的高 di/dt 路徑。最主要的高 di/dt 環路是輸入開關電流環路和輸出開關電流環路。輸入環路由輸入電容器 (CIN) 和 MOSFET（Q1 和 Q2）組成。輸出環路由輸出電容器 (COUT) 和 MOSFET（Q3 和 Q4）及其返回路徑組成。

高 dv/dt 節點是那些具有快速電壓轉換的節點。這些節點包括開關節點（SW1 和 SW2）、啟動節點（HB1 和 HB2）和柵極驅動布線（HO1、LO1、HO2 和 LO2）。開關節點 SW1 和 SW2 的面積需要盡可能小。如果 SW1 和 SW2 覆銅區較大，高 dv/dt 噪聲信號可能會通過電容耦合特性耦合到附近的其他布線，從而引起電磁干擾問題。

從電阻器 R_S 到集成電路 (IC) 引腳（CSA 和 CSB）的電流檢測跡線、輸入或輸出檢測跡線（ISNSP、ISNSN 和 FB）和控制組件（SLOPE、R_COMP、C_COMP 和 C_HF）為噪聲敏感布線。

為了獲得良好的布局性能，應優化高 dv/dt 節點的表面積，使噪聲敏感布線遠離電路的嘈雜（高 di/dt 和高 dv/dt）部分，并盡可能減小其環路面積。