ZHCACG5 march 2023 LMG2610 , UCC28782
2 GaN 價(jià)值簡(jiǎn)介
考慮到最后兩個(gè)設(shè)計(jì)要求，GaN 技術(shù)可用于解決在管理熱性能和高頻切換時(shí)遇到的挑戰(zhàn)。這是通過(guò) GaN 相對(duì)于硅擁有的三個(gè)主要優(yōu)勢(shì)實(shí)現(xiàn)的：給定電阻下的電容更小、開(kāi)關(guān)速度更快（不要與開(kāi)關(guān)頻率混淆），以及因沒(méi)有體二極管而實(shí)現(xiàn)零反向恢復(fù)損耗。
集成 GaN 器件在低柵極電容和柵極電荷（1nC-Ω 對(duì)比 Si 4nC-Ω）下的開(kāi)關(guān)速度更快。通過(guò)低輸出電容和輸出電荷（5nC-Ω 與 Si 25nC-Ω）降低開(kāi)關(guān)損耗，并在沒(méi)有體二極管的情況下消除反向恢復(fù)損耗
圖 2-1 顯示 Cg、Qg、Coss、Qoss、無(wú)體二極管的高級(jí) GaN 結(jié)構(gòu)