圖 9-1 所示為單相 AEF 電路的原理圖，其中采用 TPSF12C1-Q1 有源濾波器 IC 實現(xiàn) CM 噪聲衰減。該設計包括穩(wěn)壓器側(cè)和電網(wǎng)側(cè) Y 電容器。LISN 為 EMI 接收器提供了合適的接口來進行 150kHz 至 30MHz 的 EMI 測量。

如圖 9-1 所示，從函數(shù)發(fā)生器產(chǎn)生的方波信號相當于便捷的 CM 噪聲激勵源，而 1nF 電容器模擬開關穩(wěn)壓器的實際 CM 噪聲源阻抗。通過調(diào)整源電壓的幅度和轉(zhuǎn)換時間可設置在 LISN 上測得的合理噪聲幅度和頻譜包絡。

這種支持信號注入的簡單低壓測試有助于在高壓工作環(huán)境下連接到開關穩(wěn)壓器之前，安全且方便地對 EMI 測試室內(nèi)的濾波器進行性能鑒定。

圖 9-2 所示為濾波器板的實現(xiàn)方案。圖 9-6 展示了使用準峰值 (QP) 和平均 (AV) 噪聲檢測器并禁用和啟用 AEF 時的 EMI 結(jié)果。從圖 9-6 中可以明顯看出，AEF 在低頻率范圍（100kHz 至 3MHz）內(nèi)提供高達 30dB 的 CM 噪聲衰減，因此，使用兩個 2mH 納米晶扼流圈的濾波器可實現(xiàn)與使用兩個 12mH 扼流圈的無源濾波器設計相當?shù)?CM 衰減性能。