ZHCAC48 February 2023 TLC6C5748-Q1
特別是對于 TLC6C5748-Q1,方程式 3 中計算了局部調光 SPI 接口(SIN,SCLK)的數(shù)據(jù)吞吐量。例如,具有 60Hz 幀速率的 336 區(qū)設計需要大約 0.32MHz 的 SCLK/SIN。TLC6C5748-Q1 僅在 LAT 脈沖到達時更新亮度,因此整個幀周期可用于亮度數(shù)據(jù)傳輸。
此外,GSCLK 是 PWM 調光計數(shù)器的獨立時鐘。在某些應用中,需要使用高 PWM(例如,>20kHz)調光頻率以避免出現(xiàn)可聞噪聲和莫列波紋。在 TLC6C5748-Q1 上,當需要高 PWM 調光頻率時,建議設置 ESPWM 的控制位。方程式 4 展示了啟用 ESPWM 的情況下,PWM 調光頻率和 GSCLK 之間的關系。
例如,要實現(xiàn)超過 20kHz 的 PWM 調光頻率,至少需要 10.24MHz 的 GSCLK 頻率。某些 OEM 可能對特定低頻段的近場磁場發(fā)射有限制。大多數(shù)情況下,這種低頻磁輻射發(fā)射直接來自 PWM 調光操作期間的電流環(huán)路。頻譜上的輻射尖峰與 GSCLK 頻率直接相關,因為 PWM 調光頻率從 GSCLK 分頻。因此,還必須仔細選擇 GSCLK 頻率以避免尖峰位于敏感頻帶,這一點也很重要。對于可聞噪聲,除了提升 PWM 調光頻率外,我們還可以使用鉭聚合物電容器。與 MLCC(多層陶瓷電容器)相比,鉭聚合物電容器不會產(chǎn)生振動噪聲。通過近場磁場發(fā)射的常用方法是降低 GSCLK。例如,GMW3097 規(guī)范限制了 100kHz 至 150kHz 的近場磁場發(fā)射。根據(jù)方程式 4,當 GSCLK 為 4MHz 和 14.3MHz 時,PWM 調光頻率為 7.8kHz 和 48.8kHz。信號頻率越低,在高頻范圍內(nèi)振幅就越低,如圖 2-8 所示。
圖 2-8 100kHz 至 150kHz
原始設置的近場測試結果根據(jù)方程式 4,設計合適的 LED 調光頻率也是符合規(guī)范的好方法。例如,50kHz LED 調光頻率是合適的,因為在 50kHz、100kHz、150kHz 等處具有 EMI 噪聲峰值,這意味著可以避免對 100kHz 至 150kHz 的嚴格限制。圖 2-9 展示了當 GSCLK 為 25MHz 且開啟 ESPWM 時的近場測試結果。此外,將穩(wěn)壓電容器分布在 LED 板上還可以降低 LED 調光頻率帶來的 EMI 噪聲。
圖 2-9 100kHz 至 150kHz
優(yōu)化設置的近場測試結果