3 並聯(lián)預(yù)充電路徑

此方法通常用於需要額外閘極驅(qū)動器以驅(qū)動預(yù)充電 FET 的高電流並聯(lián) FET 架構(gòu)設(shè)計中，如 圖 4 所示。您可使用 方程式 3 選擇預(yù)充電路徑中的預(yù)充電電阻器 (Rpre-ch)，將突波電流限制為特定值：

由於預(yù)充電電阻器會在啟動期間處理所有功率應(yīng)力，因此其應(yīng)能處理平均和峰值功耗，這分別以 方程式 4 和 方程式 5 表示：

在這種情況下，可以對輸出快速充電，然而代價是預(yù)充電電阻器會非常龐大。例如，在 10ms 內(nèi)將 5mF 充電至 12V 時，需要額定值為 36W 的 0.4? 預(yù)充電電阻器，且峰值功率處理能力為 360W，這會導(dǎo)致線繞電阻器相當(dāng)龐大。因此，此解決方案對許多類型的終端設(shè)備而言皆不可行，因?yàn)樵谕?PCB 上會有許多通道。而每個通道都需要龐大的電阻器，導(dǎo)致解決方案的空間效率不彰。