ZHCSEC9 November 2015 CSD25404Q3
PRODUCTION DATA.
封裝選項
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DQG|8
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
1 特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低熱阻
- 低 RDS(on)
- 無鹵素
- 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
- 無鉛引腳鍍層
- 小外形尺寸無引線 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封裝
2 應(yīng)用
- 直流-直流轉(zhuǎn)換器
- 電池管理
- 負(fù)載開關(guān)
- 電池保護(hù)
3 說明
這款 -20V、5.5mΩ NexFET™ 功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換和負(fù)載管理應(yīng)用中的損耗。該器件采用 3.3mm × 3.3mm 小外形尺寸無引線 (SON) 封裝，可提供出色的封裝散熱性能。
頂視圖
產(chǎn)品概要
| TA=25°C | 典型值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源電壓 | -20 | V | |
| Qg | 柵極電荷總量 (-4.5V) | 10.9 | nC | |
| Qgd | 柵漏柵極電荷 | 2.2 | nC | |
| RDS(on) | 漏源導(dǎo)通電阻 | VGS = –1.8V | 40 | mΩ |
| VGS = -2.5V | 10.1 | mΩ | ||
| VGS = -4.5V | 5.5 | mΩ | ||
| Vth | 閾值電壓 | -0.9 | V | |
訂購信息(1)
| 器件 | 數(shù)量 | 包裝介質(zhì) | 封裝 | 運(yùn)輸 |
|---|---|---|---|---|
| CSD25404Q3 | 2500 | 13 英寸卷帶 | SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封裝 | 卷帶式 |
| CSD25404Q3T | 250 | 7 英寸卷帶 |
- 要了解所有可用封裝，請見數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄。
絕對最大額定值
| TA = 25°C | 值 | 單位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源電壓 | -20 | V |
| VGS | 柵源電壓 | ±12 | V |
| ID | 持續(xù)漏極電流，TC = 25°C | –104 | A |
| 持續(xù)漏極電流（受封裝限制） | -60 | ||
| 持續(xù)漏極電流(1) | –18 | ||
| IDM | 脈沖漏極電流(2) | –240 | A |
| PD | 功耗(1) | 2.8 | W |
| 功耗，TC = 25°C | 96 | ||
| TJ， Tstg |
工作結(jié)溫， 儲存溫度 |
-55 至 150 | °C |
- RθJA = 45°C/W，這是在厚度為 0.060" 的環(huán)氧樹脂 (FR4) 印刷電路板 (PCB) 上的 1 英寸2 銅過渡墊片（2 盎司）上測得的典型值。
- 最大 RθJC = 1.3，脈沖持續(xù)時間 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
RDS(on) 與 VGS 間的關(guān)系 |
柵極電荷 |