ZHCSXK1 December 2024 UCC57102Z
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 詳細(xì)說(shuō)明
- 7 應(yīng)用和實(shí)施
- 8 電源相關(guān)建議
- 9 布局
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- D|8
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
6.3.3 去飽和 (DESAT) 保護(hù)
UCC57102Z 實(shí)現(xiàn)了快速過(guò)流和短路保護(hù)功能，可保護(hù) MOSFET/IGBT 在故障期間免受災(zāi)難性擊穿的影響。DESAT 引腳相對(duì)于 GND、功率半導(dǎo)體的源極或發(fā)射極具有典型的 6.5V 閾值。當(dāng)輸入處于懸空狀態(tài)或輸出保持在低電平狀態(tài)時(shí)，DESAT 引腳由內(nèi)部 MOSFET 下拉并保持在低電平狀態(tài)，從而防止誤觸發(fā)過(guò)流和短路故障。僅在驅(qū)動(dòng)器導(dǎo)通狀態(tài)期間激活 DESAT 引腳的內(nèi)部電流源，這意味著僅在功率半導(dǎo)體處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)過(guò)流和短路保護(hù)功能才有效。當(dāng)功率半導(dǎo)體關(guān)斷時(shí)，內(nèi)部下拉 MOSFET 有助于使 DESAT 引腳的電壓放電。該器件在 OUT 切換至高電平狀態(tài)后具有 150ns 的典型內(nèi)部前沿消隱時(shí)間。此外，在 DESAT 觸發(fā)后，OUT 會(huì)保持低電平 25us Tmute 時(shí)間。Tmute 時(shí)間結(jié)束后，FLT 將在上升沿的第一個(gè) IN 恢復(fù)為高電平。在內(nèi)部前沿消隱時(shí)間之后激活 UCC57102Z 內(nèi)部電流源，為外部消隱電容器充電。內(nèi)部電流源的典型值為 250μA。有關(guān) DESAT 電路設(shè)計(jì)的更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱 UCC5710x-Q1 的應(yīng)用和優(yōu)勢(shì)。
圖 6-3 DESAT 保護(hù)