ZHCSV13E December 2023 – October 2024 UCC57102-Q1 , UCC57108-Q1
PRODUCTION DATA
UCC5710x-Q1 實現了快速過流和短路保護功能,可保護 MOSFET/IGBT 在故障期間免受災難性擊穿的影響。DESAT 引腳相對于 GND、功率半導體的源極或發射極具有典型的 6.5V 閾值。當輸入處于懸空狀態或輸出保持在低電平狀態時,DESAT 引腳由內部 MOSFET 下拉并保持在低電平狀態,從而防止誤觸發過流和短路故障。僅在驅動器導通狀態期間激活 DESAT 引腳的內部電流源,這意味著僅在功率半導體處于導通狀態時過流和短路保護功能才有效。當功率半導體關斷時,內部下拉 MOSFET 有助于使 DESAT 引腳的電壓放電。該器件在 OUT 切換至高電平狀態后具有 150ns 的典型內部前沿消隱時間。在內部前沿消隱時間之后激活 UCC5710x-Q1 內部電流源,為外部消隱電容器充電。內部電流源的典型值為 250μA。有關 DESAT 電路設計的更多詳細信息,請參閱 UCC5710x-Q1 的應用和優勢。