ZHCSPH5C June 2022 – March 2023 UCC28C50 , UCC28C51 , UCC28C52 , UCC28C53 , UCC28C54 , UCC28C55 , UCC28C56H , UCC28C56L , UCC28C57H , UCC28C57L , UCC28C58 , UCC28C59 , UCC38C50 , UCC38C51 , UCC38C52 , UCC38C53 , UCC38C54 , UCC38C55
PRODUCTION DATA
BiCMOS 設計允許在上一代雙極器件中無法實現的高頻率下運行。首先，輸出級經過了重新設計，以在大約早期器件一半的時間內驅動外部電源開關。其次，內部振蕩器更加穩健，隨著頻率的增加變化更小。這種更快的振蕩器使該器件適用于高速應用，而經過修整的放電電流可對最大占空比和死區時間限制進行精確編程。此外，電流檢測到輸出的延遲保持與 UCCx8C4x 相同，典型值為 45ns。電流檢測中的這種延遲時間可在電源開關上提供出色的過載保護。該器件較低的啟動電流可更大限度地降低啟動電阻器中的穩態功耗，并且低工作電流可在運行時盡可能地提高效率，從而提高電路總效率，無論是離線運行、直流輸入還是電池供電電路。這些特性相結合，使得器件能夠在高頻條件下可靠地運行。
| 參數 | UCCx8C4x | UCCx8C5x |
|---|---|---|
| 52kHz 時的電源電流 | 2.3mA | 1.3mA |
| 最大啟動電流 | 100μA | 75μA |
| VVDD 絕對最大值 | 20V | 30V |
| 基準電壓精度 | ± 1% | ± 2% |
| Si FET 的 UVLO 和 Dmax | 6 個選項 | 6 個選項 |
| SiC FET 的 UVLO 和 Dmax |
無選項 |
6 個選項 |
| 最小封裝選項 | VSSOP (8) | VSSOP (8) |