數(shù)據(jù)表
UCC38C53
- 支持 Si 和 SiC MOSFET 應(yīng)用的欠壓鎖定選項
- 30V VDD 絕對最大電壓
- 1MHz 最大固定頻率工作
- 50μA 啟動電流，最大值 75μA
- 低工作電流: 1.3mA（fOSC = 52kHz）
- 35ns 快速逐周期過流限制
- 峰值驅(qū)動電流為 ±1A
- 軌到軌輸出
- 25ns 上升時間
- 20ns 下降時間
- 精度為 ±1% 的 2.5V 誤差放大器基準(zhǔn)
- 與 UCCx8C4x 引腳對引腳兼容的可直接替代產(chǎn)品
- 提供功能安全
- 可幫助進行功能安全系統(tǒng)設(shè)計的文檔
UCCx8C5x 系列器件為高性能電流模式 PWM 控制器，可驅(qū)動各種應(yīng)用中的 Si 和 SiC MOSFET。UCCx8C5x 系列是 UCCx8C4x 的更高效、更穩(wěn)健的版本。
除持續(xù)支持 Si MOSFET 的現(xiàn)有 UVLO 閾值 (UCCx8C50-55) 外，UCCx8C5x 系列還具有可確保 SiC MOSFET 可靠運行的新 UVLO 閾值 (UCC28C56-59)。
VDD 絕對最大額定電壓從 20V 增加至 30V，便于以理想方式驅(qū)動 20Vgs、18Vgs 或 15Vgs SiC MOSFET 的柵極，同時可無需使用外部 LDO。
UCCx8C5x 系列采用 8 引腳 VSSOP (DGK) 和 8 引腳 SOIC (D) 封裝。
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技術(shù)文檔
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|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數(shù)據(jù)表 | UCCx8C5x 適用于 Si 和 SiC MOSFET 的 BiCMOS 低功耗電流模式 PWM 控制器 數(shù)據(jù)表 (Rev. C) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2023年 3月 22日 |
設(shè)計和開發(fā)
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評估板
UCC28C56EVM-066 — 適用于 UCC28C56H-Q1 初級側(cè)控制（使用 AUX 繞組）反激式穩(wěn)壓器的評估模塊
UCC28C56EVM-066 是一款適用于 EV 和 HEV 汽車動力總成的高效初級側(cè)控制（使用 AUX 繞組）反激式輔助電源。該設(shè)計可為 800V 電池系統(tǒng)提供 15.2VTYP 40W 輸出，在 125V 至 1000V 的輸入電壓范圍內(nèi)提供 40W 功率。確切輸出電壓取決于負載。該設(shè)計輸入為 40V 至 125V，可提供功率為 20W。該 EVM 采用 1700V 碳化硅 (SiC) MOSFET，非常適合 800V 電池系統(tǒng)。
參考設(shè)計
TIDA-01505 — 支持可再生制動測試的汽車類 40V 至 1kV 輸入反激式參考設(shè)計
該適用于汽車輔助電路的電源參考設(shè)計可以通過 40V 至 1kV 的寬輸入范圍和高達 1.2kV 的瞬態(tài)電壓生成 15V、4A 輸出。該設(shè)計非常適合 800V 電池驅(qū)動的混合動力電動汽車 (HEV) 或電動汽車 (EV) 牽引逆變器系統(tǒng)。40V 最低輸入電壓支持牽引電機可再生制動的功能安全測試。該參考設(shè)計實施具有高阻斷電壓和低柵極電荷的碳化硅 (SiC) MOSFET，以降低開關(guān)損耗。非隔離式電平移位器支持通過反激式控制器中嵌入的 Si MOSFET 驅(qū)動器驅(qū)動 SiC MOSFET。該板包含兩個反激式轉(zhuǎn)換器型號：初級側(cè)調(diào)節(jié) (PSR) (...)
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
| VSSOP (DGK) | 8 | Ultra Librarian |
訂購和質(zhì)量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件標(biāo)識
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級/回流焊峰值溫度
- MTBF/時基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
- 制造廠地點
- 封裝廠地點
推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關(guān)的參數(shù)、評估模塊或參考設(shè)計。