11.1.1.1.1 法拉電容術語

• C_BULK：CB1 _{和 C}B2 _的總輸入電容。
• C_DD：VDD 引腳上所需的最小電容。
• C_OUT：所需的最小輸出電容。

11.1.1.1.2 占空比術語

• D_MAGCC：CC 中的二次側二極管導通占空比，0.425。
• D_MAX：晶體管導通時間占空比。

11.1.1.1.3 頻率術語（以赫茲為單位）

• f_LINE：最小線路頻率。
• f_MAX：轉換器的目標滿載最大開關頻率。
• f_MIN：轉換器的最小開關頻率，為器件的 f_SW(min) 限值增加 15％ 裕度。
• f_SW(min)：最小開關頻率（請參見電氣特性）。

11.1.1.1.4 電流術語（以安培為單位）

• I_OCC：轉換器目標恒流輸出。
• I_PP(max)：變壓器一次側最大電流。
• I_START：啟動偏置電源電流（請參見電氣特性）。
• I_TRAN：所需的正負載階躍電流。
• I_VSL(run)： VS 引腳運行電流（請參見電氣特性）。

• I_DRS：驅動器拉電流（請參見電氣特性）。

11.1.1.1.5 電流和電壓調節術語

• K_AM： 一次側峰峰值電流比（請參見電氣特性）。
• K_LC：電流調節常量（請參見電氣特性）。

11.1.1.1.6 變壓器術語

• L_P：變壓器一次側電感。
• N_AS：變壓器輔助側與二次側的匝數比。
• N_PA：變壓器一次側與輔助側的匝數比。
• N_PS：變壓器一次側與二次側的匝數比。

11.1.1.1.7 功率術語（以瓦特為單位）

• P_IN：轉換器的最大輸入功率。
• P_OUT：轉換器的滿載輸出功率。
• P_RSTR：VDD 啟動電阻的功耗。
• P_SB：總待機功耗。
• P_{SB_CONV}：P_SB與啟動電阻和緩沖器損耗的差值。

11.1.1.1.8 電阻術語（以 Ω 為單位）

• R_CS：一次側電流編程電阻。
• R_ESR：輸出電容器的總 ESR。
• R_PL：轉換器輸出端的預載電阻。
• R_S1：高側 VS 引腳電阻。
• R_S2：低側 VS 引腳電阻。
• R_STR ：啟動電阻。

11.1.1.1.9 時序術語（以秒為單位）

• T_D：包括晶體管關斷延遲在內的電流感測延遲；添加 50ns 至晶體管延遲。
• T_DMAG(min)：二次側整流器的最短導通時間。
• T_N(min)：晶體管的最短導通時間。
• t_R：斷續導通模式 (DCM) 期間的諧振頻率。
• t_ST：啟動時間

11.1.1.1.10 電壓術語（以伏特為單位）

• V_BLK：用于待機功耗測量的大容量電容最高電壓。
• V_{BULK（最小值）}：滿功率條件下 C_B1 和 C_B2 的最低電壓。
• V_OCBC：輸出引腳的目標電纜補償電壓。
• V_CBC(max)：最大轉換器輸出電流條件下 CBC 引腳的最大電壓（請參見電氣特性）。
• V_CCR：恒流調節電壓（請參見電氣特性）。
• V_CST(max)：CS 引腳的最大電流感測閾值（請參見電氣特性）。
• V_CST(min)：CS 引腳的最小電流感測閾值（請參見電氣特性）。
• V_DD(off)：UVLO 關斷電壓（請參見電氣特性）。
• V_DD(on)：UVLO 導通電壓（請參見電氣特性）。
• V_OΔ：負載階躍瞬態期間允許的輸出壓降。
• V_CPK：高壓線條件下的晶體管集電極到發射極電壓峰值
• V_F：電流接近零時的二次側整流器正向壓降。
• V_FA：輔助整流器正向壓降。
• V_LK：估計的漏感能量復位電壓。
• V_OCV：經穩壓的轉換器輸出電壓。
• V_OCC：恒流穩壓條件下的最低目標轉換器輸出電壓。
• V_REV：二次側整流器的峰值反向電壓。
• V_RIPPLE：滿載條件下的輸出峰峰值紋波電壓。
• V_VSR：VS 輸入端的 CV 調節電平（請參見電氣特性）。

11.1.1.1.11 交流電壓術語（以 V_RMS 為單位）

• V_IN(max)：轉換器的最大輸入電壓。
• V_IN(min)：轉換器的最小輸入電壓。
• V_IN(min)：轉換器的輸入啟動（運行）電壓。

11.1.1.1.12 效率術語

• η_SB：無載條件下估算的轉換器效率，其中不包括啟動電阻或偏置損耗。η_SB：對于一個 5V USB 充電器應用，60％ 到 65％ 是一個很好的初步估算值。
• η：轉換器總體效率。
• η_XFMR：變壓器一次側與二次側之間的功率傳輸效率。