ZHCSEQ1A February 2016 – February 2016 UCC28704
PRODUCTION DATA.
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 Pin Configuration and Functions
- 6 Specifications
-
7 Detailed Description
- 7.1 Overview
- 7.2 Functional Block Diagram
- 7.3
Feature Description
- 7.3.1 Detailed Pin Description
- 7.3.2 Primary-Side Regulation (PSR)
- 7.3.3 Primary-Side Constant Voltage (CV) Regulation
- 7.3.4 Primary-Side Constant Current (CC) Regulation
- 7.3.5 Valley-Switching and Valley-Skipping
- 7.3.6 Start-Up Operation
- 7.3.7 Fault Protection
- 7.3.8 Constant Current Under-Voltage Protection
- 7.3.9 Load Transient Response
- 7.4 Device Functional Modes
-
8 Applications and Implementation
- 8.1 Application Information
- 8.2
Typical Application
- 8.2.1 Design Requirements
- 8.2.2
Detailed Design Procedure
- 8.2.2.1 VDD Capacitance, CDD
- 8.2.2.2 VDD Start-Up Resistance, RSTR
- 8.2.2.3 Input Bulk Capacitance and Minimum Bulk Voltage
- 8.2.2.4 Transformer Turns Ratio, Inductance, Primary-Peak Current
- 8.2.2.5 Transformer Parameter Verification
- 8.2.2.6 VS Resistor Divider, Line Compensation, and NTC
- 8.2.2.7 Standby Power Estimate
- 8.2.2.8 Output Capacitance
- 8.2.2.9 Design Considerations in Using with Synchronous Rectifiers
- 8.2.3 Application Curves
- 8.3 Do's and Don'ts
- 9 Power Supply Recommendations
- 10Layout
-
11器件和文檔支持
- 11.1
器件支持
- 11.1.1
器件命名規(guī)則
- 11.1.1.1 電容術(shù)語（以法拉為單位）
- 11.1.1.2 占空比術(shù)語
- 11.1.1.3 頻率術(shù)語（以赫茲為單位）
- 11.1.1.4 電流術(shù)語（以安培為單位）
- 11.1.1.5 電流和電壓調(diào)節(jié)術(shù)語
- 11.1.1.6 變壓器術(shù)語
- 11.1.1.7 功率術(shù)語（以瓦特為單位）
- 11.1.1.8 電阻術(shù)語（以 Ω 為單位）
- 11.1.1.9 時序術(shù)語（以秒為單位）
- 11.1.1.10 電壓術(shù)語（以伏特為單位）
- 11.1.1.11 交流電壓術(shù)語（以 VRMS 為單位）
- 11.1.1.12 效率術(shù)語
- 11.1.1
器件命名規(guī)則
- 11.2 文檔支持
- 11.3 社區(qū)資源
- 11.4 商標(biāo)
- 11.5 靜電放電警告
- 11.6 Glossary
- 11.1
器件支持
- 12機(jī)械、封裝和可訂購信息
11 器件和文檔支持
11.1 器件支持
11.1.1 器件命名規(guī)則
11.1.1.1 電容術(shù)語（以法拉為單位）
-
CBULK CB1 和 CB2 的總輸入電容。
-
CDD VDD 引腳所需的最小電容。
-
COUT 所需的最小輸出電容。
11.1.1.2 占空比術(shù)語
-
DMAGCC CC 中二次側(cè)二極管導(dǎo)通占空比，0.475。
-
DMAX 最大 MOSFET 導(dǎo)通時間占空比。
11.1.1.3 頻率術(shù)語（以赫茲為單位）
-
fLINE 最低線路頻率。
-
fMAX 轉(zhuǎn)換器的最高目標(biāo)滿載開關(guān)頻率。
-
fMIN 轉(zhuǎn)換器的最低開關(guān)頻率，在器件 fSW(min)限值基礎(chǔ)上增加 15％ 的裕度。
-
fSW(lim) 負(fù)載減小后的瞬態(tài)開關(guān)頻率
-
FSW(min) 最低開關(guān)頻率（見Electrical Characteristics表）
-
fSW(max) 最大開關(guān)頻率（見Electrical Characteristics表）
-
fSW(standby) 輕負(fù)載條件下負(fù)載變化之前的開關(guān)頻率
11.1.1.4 電流術(shù)語（以安培為單位）
-
IOCC 轉(zhuǎn)換器輸出恒流目標(biāo)。
-
IOR 轉(zhuǎn)換器額定輸出電流。
-
IPP(max) 變壓器一次側(cè)最大電流。
-
ISTART 啟動偏置電源電流（見Electrical Characteristics表）。
-
ITRAN 所需的正負(fù)載階躍電流。
-
IVSL(run) VS 引腳運(yùn)行電流（見Electrical Characteristics表）。
-
IWAIT 等待狀態(tài)期間的 VDD 偏置電流。（見Electrical Characteristics表）。
11.1.1.5 電流和電壓調(diào)節(jié)術(shù)語
-
KAM 一次側(cè)峰峰值電流比（見Electrical Characteristics表）。
-
KCo 穩(wěn)定性因子為 100，用于計算 COUT。
-
KLC 電流調(diào)節(jié)常量（見Electrical Characteristics表）。
11.1.1.6 變壓器術(shù)語
-
LP 變壓器一次側(cè)電感。
-
LS 變壓器二次側(cè)電感。
-
NAS 變壓器輔助繞組與二次側(cè)繞組匝數(shù)比。
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NPA 變壓器一次側(cè)繞組與輔助繞組匝數(shù)比。
-
NPS 變壓器一次側(cè)繞組與二次側(cè)繞組匝數(shù)比。
-
NA 變壓器輔助繞組的匝數(shù)。
-
NP 變壓器一次側(cè)繞組的匝數(shù)。
-
NS 變壓器二次側(cè)繞組的匝數(shù)。
11.1.1.7 功率術(shù)語（以瓦特為單位）
-
PIN 轉(zhuǎn)換器最大輸入功率。
-
POUT 轉(zhuǎn)換器的滿載輸出功率。
-
PRSTR VDD 啟動電阻功耗。
-
PSB 總待機(jī)功耗。
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PSB_CONV PSB 與啟動電阻和緩沖器功耗的差值。
11.1.1.8 電阻術(shù)語（以 Ω 為單位）
-
RCS 一次側(cè)電流編程電阻
-
RESR 輸出電容的總 ESR。
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RPL 轉(zhuǎn)換器輸出端的預(yù)載電阻。
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RS1 高側(cè) VS 引腳電阻。
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RS2 低側(cè) VS 引腳電阻。
-
RSTR 高電壓與 VDD 之間連接的啟動電阻
11.1.1.9 時序術(shù)語（以秒為單位）
-
tD 電流感測延遲。
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tDMAG(min) 二次側(cè)整流器最短導(dǎo)通時間。
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tGATE_OFF 一次側(cè)主 MOSFET 關(guān)斷時間。
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tON(min) MOSFET 最短導(dǎo)通時間。
-
tR tDMAG 之后的諧振環(huán)周期。
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tSTR 由于 VDD 電容 CDD 需要充電時間所造成的上電延時。
-
tZTO tZTO：未檢測到過零點(diǎn)時 VS 引腳上的過零點(diǎn)超時延遲（見Electrical Characteristics表）
11.1.1.10 電壓術(shù)語（以伏特為單位）
-
VBLK 或 VBULK 大容量電容電壓。
-
VBULK(max) 用于待機(jī)功耗測量的大容量電容最高電壓。
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VBULK(min) 滿功率條件下 CB1和 CB2 的最低電壓。
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VBULK(run) 轉(zhuǎn)換器啟動（運(yùn)行）高電壓。
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VCBC 滿載時電路板端輸出的電纜補(bǔ)償電壓。
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VCCR 恒流調(diào)節(jié)電壓（見Electrical Characteristics表）。
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VCCUV 恒流輸出電壓關(guān)斷的 VS 閾值（見Electrical Characteristics表）
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VCST(max) CS 引腳的最大電流感測閾值（見Electrical Characteristics表）。
-
VCST(min) CS 引腳的最小電流感測閾值（見Electrical Characteristics表）。
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VVDD(off) UVLO 關(guān)斷電壓（見Electrical Characteristics表）。
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VVDD(on) UVLO 導(dǎo)通電壓（見Electrical Characteristics表）。
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VF 電流接近零時的二次側(cè)整流器正向壓降。
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VFA 輔助整流器正向壓降。
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VLK 估計的漏感能量復(fù)位電壓。
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VOCV 經(jīng)穩(wěn)壓的轉(zhuǎn)換器輸出電壓。
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VOCC 恒流穩(wěn)壓條件下的最低目標(biāo)轉(zhuǎn)換器輸出電壓。
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VRIPPLE 滿載條件下的輸出峰峰值紋波電壓。
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VVSR VS 輸入端的 CV 調(diào)節(jié)電平（見Electrical Characteristics表）。
11.1.1.11 交流電壓術(shù)語（以 VRMS 為單位）
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VIN(max) 轉(zhuǎn)換器的最大輸入電壓。
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VIN(min) 轉(zhuǎn)換器的最小輸入電壓。
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VIN(run) 轉(zhuǎn)換器輸入啟動（運(yùn)行）電壓。
11.1.1.12 效率術(shù)語
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η 轉(zhuǎn)換器總體效率。
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η10 10% 負(fù)載時的效率。
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ηAVG 25%、50%、75% 和 100% 負(fù)載時的算術(shù)平均效率。
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ηXFMR 變壓器一次側(cè)與二次側(cè)之間的功率傳輸效率。
11.2 文檔支持
11.3 社區(qū)資源
The following links connect to TI community resources. Linked contents are provided "AS IS" by the respective contributors. They do not constitute TI specifications and do not necessarily reflect TI's views; see TI's Terms of Use.
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TI E2E™ Online Community TI's Engineer-to-Engineer (E2E) Community. Created to foster collaboration among engineers. At e2e.ti.com, you can ask questions, share knowledge, explore ideas and help solve problems with fellow engineers.
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Design Support TI's Design Support Quickly find helpful E2E forums along with design support tools and contact information for technical support.
11.4 商標(biāo)
E2E is a trademark of Texas Instruments.
11.5 靜電放電警告
這些裝置包含有限的內(nèi)置 ESD 保護(hù)。 存儲或裝卸時，應(yīng)將導(dǎo)線一起截短或?qū)⒀b置放置于導(dǎo)電泡棉中，以防止 MOS 門極遭受靜電損傷。
11.6 Glossary
SLYZ022 — TI Glossary.
This glossary lists and explains terms, acronyms, and definitions.