ZHCSBJ1B August 2013 – August 2015 UCC27517A-Q1
PRODUCTION DATA.
UCC27517A-Q1 單通道高速低側柵極驅動器器件有效地驅動金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 開關。 借助于固有的大大減少擊穿電流的設計,UCC27517A-Q1 能夠灌、拉高峰值電流脈沖進入到電容負載,此電容負載提供了軌到軌驅動能力以及極小傳播延遲(典型值為 13ns)。
UCC27517A-Q1 器件在輸入上處理 -5V 電壓。
當 VDD = 12V 時,UCC27517A-Q1 可提供峰值為 4A 的灌/拉(對稱驅動)電流驅動能力。
UCC27517A-Q1 在 4.5V 至 18V 的寬 VDD 范圍以及 -40°C 至 140°C 的寬溫度范圍內運行。 VDD 引腳上的內部欠壓鎖定 (UVLO) 電路可在 VDD 超出運行范圍時使輸出保持低電平。 此器件能夠在低電壓(例如低于 5V)下運行,并且擁有同類產品中最佳的開關特性,因此非常適用于驅動諸如 GaN 功率半導體器件等新上市的寬帶隙電源開關器件。
| 部件號 | 封裝 | 封裝尺寸(標稱值) |
|---|---|---|
| UCC27517A-Q1 | SOT-23 (5) | 2.90mm x 1.60mm |