ZHCS501H November 2011 – September 2025 UCC27211
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 詳細(xì)說明
- 7 應(yīng)用和實(shí)施
- 8 器件和文檔支持
- 9 修訂歷史記錄
- 10機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
4 引腳配置和功能
表 4-1 引腳功能
| 引腳 | I/O | 說明 | ||
|---|---|---|---|---|
| 名稱 | D/DDA/DRM | DPR | ||
| VDD | 1 | 1 | P | 低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的正電源。將該引腳去耦合至 VSS (GND)。典型去耦電容器范圍為 0.22μF 到4.7μF（請(qǐng)參見(2)）。 |
| HB | 2 | 2 | P | 高側(cè)自舉電源。自舉二極管位于片上，但需要外部自舉電容器。將自舉電容器的正極側(cè)連接到該引腳。HB 旁路電容器的典型范圍為 0.022μF 至 0.1μF。電容器值取決于高側(cè) MOSFET 的柵極電荷，還應(yīng)根據(jù)速度和紋波標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行選擇 |
| HO | 3 | 3 | O | 高側(cè)輸出。連接到高側(cè)功率 MOSFET 的柵極。 |
| HS | 4 | 4 | P | 高側(cè)源極連接。連接到高側(cè)功率 MOSFET 的源極。將自舉電容器的負(fù)極側(cè)連接到該引腳。 |
| HI | 5 | 7 | I | 高側(cè)輸入。(3) |
| LI | 6 | 8 | I | 低側(cè)輸入。(3) |
| VSS | 7 | 9 | G | 器件的負(fù)電源端子，通常為接地。 |
| LO | 8 | 10 | O | 低側(cè)輸出。連接到低側(cè)功率 MOSFET 的柵極。 |
| N/C | — | 5/6 | — | 未連接。 |
| PowerPAD?(1) | Pad | Pad | G | 僅用于 DDA、DRM 和 DPR 封裝。以 VSS (GND) 為電氣基準(zhǔn)。連接到熱質(zhì)量較大的布線或 GND 平面以提高熱性能。 |
(1) PowerPAD? 未與封裝的任何引線直接相連。不過，它以電氣方式和熱方式連接至基板，該基板是器件的接地板。
(2) 對(duì)于低溫應(yīng)用，建議使用電容范圍上限值。還應(yīng)注意 PCB 布局 - 請(qǐng)參見節(jié) 7.4。
(3) 假設(shè) HI 或 LI 輸入連接到低阻抗源信號(hào)。假設(shè)源輸出阻抗小于 100Ω。如果源阻抗大于 100Ω，請(qǐng)?jiān)?HI 和 VSS 之間以及 LI 和 VSS 之間分別添加一個(gè)旁路電容器。添加的電容器值取決于引腳上出現(xiàn)的噪聲水平，通常 1nF 至 10nF 應(yīng)能有效消除可能的噪聲影響。當(dāng) HI 或 LI 這兩個(gè)引腳上出現(xiàn)噪聲時(shí)，會(huì)導(dǎo)致 HO 和 LO 故障，產(chǎn)生錯(cuò)誤的邏輯輸出。