ZHCSVO2D June 2008 – July 2024 UCC27200-Q1
PRODUCTION DATA
3 說明
UCC27200-Q1 高頻 N 溝道 MOSFET 驅動器由 120V 自舉二極管和高側/低側驅動器組成，其中高側/低側驅動器配有獨立輸入，可更大限度提高控制靈活性。這可在半橋轉換器、全橋轉換器、雙開關正激轉換器和有源鉗位正激轉換器中實現 N 溝道 MOSFET 控制。低側和高側柵極驅動器是獨立控制的，并在彼此的接通和關斷之間實現了 1ns 的延遲匹配。
由于在芯片上集成了一個自舉二極管，因此無需采用外部分立式二極管。高側和低側驅動器均配有欠壓鎖定功能，如果驅動電壓低于規定的閾值，則強制將輸出置為低電平。
UCC27200-Q1 具有高抗噪 CMOS 輸入閾值。
該器件采用 8 引腳 SO PowerPAD? (DDA) 封裝。
器件信息
| 器件型號 | 封裝(1) | 本體尺寸（標稱值） |
|---|---|---|
| UCC27200-Q1 | DDA（PowerPADTM SOIC，8） | 4.9mm × 3.9mm |
(1) 有關所有可用封裝，請參閱節 12。
簡化版應用示意圖