ZHCSS68C May 2023 – August 2024 UCC21550
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 參數(shù)測量信息
- 7 詳細(xì)說明
-
8 應(yīng)用和實(shí)施
- 8.1 應(yīng)用信息
- 8.2
典型應(yīng)用
- 8.2.1 設(shè)計(jì)要求
- 8.2.2 詳細(xì)設(shè)計(jì)過程
- 8.2.3 應(yīng)用曲線
- 9 電源相關(guān)建議
- 10布局
- 11器件和文檔支持
- 12修訂歷史記錄
- 13機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DWK|14
- DW|16
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
4 引腳配置和功能
圖 4-1 DW 封裝16 引腳 SOIC頂視圖
圖 4-2 DWK 封裝14 引腳 SOIC頂視圖表 4-1 引腳功能
| 引腳 | 類型(1) | 說明 | |
|---|---|---|---|
| 名稱 | 編號(hào) | ||
| DIS | 5 | I | 設(shè)置為高電平時(shí)會(huì)同時(shí)禁用兩個(gè)驅(qū)動(dòng)器輸出，而設(shè)置為低電平時(shí)則會(huì)啟用兩個(gè)輸出。為了實(shí)現(xiàn)更好的抗噪性能，如果不使用該引腳，則建議將其接地。如果保持懸空，則該引腳在內(nèi)部被拉高。建議在連接到微控制器時(shí)在 DIS 引腳上使用 RC 濾波器以過濾高頻噪聲，R = 0Ω 至 100Ω，C = 100pF 至 1000pF。 |
| DT | 6 | I | DT 引腳配置：
|
| GND | 4 | G | 初級(jí)側(cè)接地參考。初級(jí)側(cè)的所有信號(hào)都以該接地為基準(zhǔn)。 |
| INA | 1 | I | A 通道的輸入信號(hào)。INA 輸入具有兼容 TTL/CMOS 的輸入閾值。該引腳在保持開路時(shí)在內(nèi)部被拉至低電平。建議在 INA 上使用 RC 濾波器以過濾高頻噪聲，R = 10Ω 至 100Ω，C = 10pF 至 100pF。 |
| INB | 2 | I | B 通道的輸入信號(hào)。INB 輸入具有兼容 TTL/CMOS 的輸入閾值。該引腳在保持開路時(shí)在內(nèi)部被拉至低電平。建議在 INB 上使用 RC 濾波器以過濾高頻噪聲，R = 10Ω 至 100Ω，C = 10pF 至 100pF。 |
| NC | 7 | – | 無內(nèi)部連接。 |
| NC | 12 | – | 無內(nèi)部連接。 |
| NC | 13 | – | 無內(nèi)部連接。 |
| OUTA | 15 | O | 驅(qū)動(dòng)器 A 的輸出。通過柵極電阻器連接到 A 通道晶體管的柵極。 |
| OUTB | 10 | O | 驅(qū)動(dòng)器 B 的輸出。通過柵極電阻器連接到 B 通道晶體管的柵極。 |
| VCCI | 3 | P | 初級(jí)側(cè)電源電壓。使用盡可能靠近器件的低 ESR/ESL 電容器在本地進(jìn)行去耦（連接至 GND）。 |
| VCCI | 8 | P | 初級(jí)側(cè)電源電壓。此引腳在內(nèi)部短接至引腳 3。 |
| VDDA | 16 | P | 驅(qū)動(dòng)器 A 的次級(jí)側(cè)電源。使用盡可能靠近器件的低 ESR/ESL 電容器在本地進(jìn)行去耦（連接至 VSSA）。 |
| VDDB | 11 | P | 驅(qū)動(dòng)器 B 的次級(jí)側(cè)電源。使用盡可能靠近器件的低 ESR/ESL 電容器在本地進(jìn)行去耦（連接至 VSSB）。 |
| VSSA | 14 | G | 次級(jí)側(cè) A 通道的接地基準(zhǔn)。 |
| VSSB | 9 | G | 次級(jí)側(cè) B 通道的接地基準(zhǔn)。 |
(1) P = 電源，G = 地，I = 輸入，O = 輸出