ZHCSIS7E September 2018 – November 2024 UCC21540 , UCC21540A , UCC21541 , UCC21542
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 參數(shù)測(cè)量信息
- 8 詳細(xì)說(shuō)明
-
9 應(yīng)用和實(shí)施
- 9.1 應(yīng)用信息
- 9.2
典型應(yīng)用
- 9.2.1 設(shè)計(jì)要求
- 9.2.2 詳細(xì)設(shè)計(jì)過(guò)程
- 9.2.3 應(yīng)用曲線
- 10電源相關(guān)建議
- 11布局
- 12器件和文檔支持
- 13修訂歷史記錄
- 14機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DWK|14
- DW|16
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DW|16
訂購(gòu)信息
8.4.2.2 在 DT 和 GND 引腳之間連接編程電阻器
通過(guò)在 DT 引腳和 GND 之間放置一個(gè)電阻器 RDT 來(lái)對(duì) tDT 編程。TI 建議靠近 DT 引腳放置一個(gè) ≤1nF 的陶瓷電容器來(lái)旁路此引腳，從而實(shí)現(xiàn)更佳的抗噪性能。可以根據(jù)以下公式確定合適的 RDT 值：
其中
- tDT 是已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間，單位為納秒。
- RDT 是 DT 引腳和 GND 之間的電阻值，單位為千歐。
RDT 對(duì)此引腳上的小電流進(jìn)行編程，用于設(shè)置死區(qū)時(shí)間。隨著 RDT 值的增加，DT 引腳提供上的電流減小。當(dāng) RDT = 100kΩ 時(shí)，DT 引腳電流將小于 10μA。對(duì)于更大的 RDT 值，TI 建議盡可能靠近 DT 引腳放置 RDT 和一個(gè) ≤1nF 的陶瓷電容器，從而實(shí)現(xiàn)更佳的抗噪性能并在兩個(gè)通道之間實(shí)現(xiàn)更好的死區(qū)時(shí)間匹配。
一個(gè)輸入信號(hào)的下降沿會(huì)啟動(dòng)已編程設(shè)定的另一個(gè)信號(hào)的死區(qū)時(shí)間。已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間是驅(qū)動(dòng)器將兩個(gè)輸出保持低電平的最短強(qiáng)制持續(xù)時(shí)間。如果 INA 和 INB 信號(hào)包含的死區(qū)持續(xù)時(shí)間長(zhǎng)于已編程設(shè)定的最短時(shí)間，則輸出保持低電平的持續(xù)時(shí)間也會(huì)長(zhǎng)于已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間。如果兩個(gè)輸入同時(shí)都處于高電平，則兩個(gè)輸出都將立即被設(shè)為低電平。此特性用于在半橋應(yīng)用中防止擊穿，并且它并不影響正常運(yùn)行所需的已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間。下圖顯示并說(shuō)明了各種驅(qū)動(dòng)器死區(qū)時(shí)間邏輯工作條件。
圖 8-4 各種輸入信號(hào)條件下輸入與輸出邏輯之間的關(guān)系條件 A：INB 變?yōu)榈碗娖剑琁NA 變?yōu)楦唠娖健NB 立即將 OUTB 設(shè)為低電平并將已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間分配給 OUTA。在已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間后，OUTA 能夠變?yōu)楦唠娖健?/p>
條件 B：INB 變?yōu)楦唠娖剑琁NA 變?yōu)榈碗娖健NA 現(xiàn)在立即將 OUTA 設(shè)為低電平并將已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間分配給 OUTB。在已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間后，OUTB 能夠變?yōu)楦唠娖健?/p>
條件 C：INB 變?yōu)榈碗娖剑琁NA 仍為低電平。INB 立即將 OUTB 設(shè)為低電平并將已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間分配給 OUTA。在這種情況下，輸入信號(hào)死區(qū)時(shí)間長(zhǎng)于已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間。當(dāng) INA 在輸入信號(hào)死區(qū)時(shí)間后變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，它立即將 OUTA 設(shè)為高電平。
條件 D：INA 變?yōu)榈碗娖剑琁NB 仍為低電平。INA 立即將 OUTA 設(shè)為低電平并將已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間分配給 OUTB。在這種情況下，輸入信號(hào)死區(qū)時(shí)間長(zhǎng)于已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間。當(dāng) INB 在輸入信號(hào)死區(qū)時(shí)間后變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，它立即將 OUTB 設(shè)為高電平。
條件 E：INA 變?yōu)楦唠娖剑?INB 和 OUTB 仍為高電平。為了避免過(guò)沖，OUTB 被立即拉至低電平。一段時(shí)間后，OUTB 變?yōu)榈碗娖讲⒁丫幊淘O(shè)定的死區(qū)時(shí)間分配給 OUTA。OUTB 已經(jīng)為低電平。在已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間后，OUTA 能夠變?yōu)楦唠娖健?/p>
條件 F：INB 變?yōu)楦唠娖剑?INA 和 OUTA 仍為高電平。為了避免過(guò)沖，OUTA 被立即拉至低電平。一段時(shí)間后，OUTA 變?yōu)榈碗娖讲⒁丫幊淘O(shè)定的死區(qū)時(shí)間分配給 OUTB。OUTA 已經(jīng)為低電平。在已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間后，OUTB 能夠變?yōu)楦唠娖健?/p>