ZHCSXX5 February 2025 TUSB1146-Q1
PRODUCTION DATA
可能需要整合 ESD 元件以保護 TUSB1146-Q1 免受靜電放電 (ESD) 的影響。TI 建議遵循 表 8-2 中列出的 ESD 保護建議。大于 表 8-2 中規定值的鉗位電壓可能要求在每個差分引腳上設置 RESD。將 ESD 元件布置在 USB 連接器附近。
| 參數 | 建議 |
|---|---|
| 擊穿電壓 | ≥ 3.5V |
| I/O 線電容 | 數據速率 ≤ 5Gbps：≤ 0.50pF |
| 數據速率 > 5Gbps：≤ 0.35pF | |
| 任何 P 和 N I/O 引腳之間的電容差值 | ≤ 0.07pF |
| 8A IPP IO 至 GND 時的鉗位電壓 (1) | ≤ 4.5V |
| 典型動態電阻 | ≤ 30mΩ |
| 制造商 | 器件型號 | RESD 支持 ±8kV 的 IEC 61000-4-2 接觸放電 |
|---|---|---|
| Nexperia | PUSB3FR4 | 1Ω |
| Nexperia | PESD2V8Y1BSF | 1Ω |
| 德州儀器 (TI) | TPD1E04U04DPLR | 2Ω |
| 德州儀器 (TI) | TPD4E02B04DQAR | 2Ω |