ZHCSPA2C July 2023 – April 2025 TPSM828301 , TPSM828302 , TPSM828303
PRODMIX
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件選項(xiàng)
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細(xì)說明
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- VCB|10
- RDS|9
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
7.3.7 優(yōu)化的 EMI 性能
TPSM82830x 器件采用先進(jìn)技術(shù)，可更大限度地減少電磁干擾 (EMI)，并能輕松地滿足嚴(yán)格的 EMI 標(biāo)準(zhǔn)。通過將電容器直接集成到器件上，減少了寄生元件并且更大限度地減小了環(huán)路面積，從而有效地減少了主要在 450MHz 以上產(chǎn)生的高頻噪聲發(fā)射。片上電容器確保為高頻交流開關(guān)電流提供低電感路徑并抑制電壓振鈴。
除了片上電容器之外，還通過先進(jìn)的壓擺率控制機(jī)制和平滑電源電壓來改進(jìn)柵極驅(qū)動器。對開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓進(jìn)行適當(dāng)控制來減少尖銳邊緣，并更大程度地減少電壓過沖，從而降低 EMI。
上圖是在具有 TPSM828303ARDSR 和標(biāo)準(zhǔn) BOM 的 EVM 上測得。
圖 7-6 輻射 EMI 性能（符合 A 類和 B 類限制的 CISPR 11 輻射發(fā)射測試）| IOUT = 3A | VIN = 5.5V | VOUT = 1.8V |