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ZHCSRQ2A February 2023 – November 2023 TPSM63610E

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RDF|22
- MPQF620

散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

8.3.3 輸入電容器

需要輸入電容器來限制該模塊中因開關(guān)頻率交流電流而導(dǎo)致的輸入紋波電壓。TI 推薦使用陶瓷電容器來在寬溫度范圍內(nèi)提供低阻抗和高 RMS 電流等級。方程式 2 給出了輸入電容器 RMS 電流。最大輸入電容器 RMS 電流會出現(xiàn)在 D = 0.5 時，這時電容器的 RMS 電流等級必須大于輸出電流的一半。

方程式 2.

I_{C I N, r m s} = \sqrt{D \times ({I_{O U T}}^{2} \times (1 - D) + \frac{? {i_{L}}^{2}}{12})}

其中

D = V_OUT/V_IN 是模塊占空比。

理想情況下，降壓級輸入電流的直流和交流分量分別由輸入電壓源和輸入電容器提供。在忽略電感器紋波電流的情況下，輸入電容器會在 D 間隔期間拉出幅值為 (I_OUT – I_IN) 的電流，并在 1 – D 期間灌入幅值為 I_IN 的電流。因此，輸入電容器會傳導(dǎo)峰-峰值幅度等于輸出電流的方波電流。因此，交流紋波電壓的相應(yīng)容性分量為三角波形。通過與 ESR 相關(guān)紋波分量相結(jié)合，方程式 3 可以給出峰峰值紋波電壓幅值：

方程式 3.

{? V}_{I N} = (\frac{I_{O U T} \times D \times (1 - D)}{F_{S W} \times C_{I N}} + I_{O U T} \times R_{E S R})

方程式 4 給出了特定負載電流所需的輸入電容：

方程式 4.

C_{I N} \geq (\frac{I_{O U T} \times D \times (1 - D)}{F_{S W} \times ({? V}_{I N} - I_{O U T} \times R_{E S R})})

其中

ΔV_IN 是輸入紋波電壓規(guī)格。

TPSM63610E 需要至少兩個 10μF 陶瓷輸入電容器，最好使用 X7R 或 X7S 電介質(zhì)并采用 1206 或 1210 尺寸。為了滿足傳導(dǎo) EMI 規(guī)格，例如 CISPR 11 或 CISPR 32，應(yīng)用可能需要額外的電容。

表 8-2 包含按供應(yīng)商分類的偏好電容器列表。為了更大限度地減小開關(guān)環(huán)路中的寄生電感，請將陶瓷輸入電容器放置在靠近 VIN1 和 VIN2 引腳的對稱布局中，并使用模塊下方的銅接地平面將電容器返回端子連接到 PGND 引腳。

表 8-2 推薦的陶瓷輸入電容器

供應(yīng)商⁽¹⁾	電介質(zhì)	器件型號	外殼尺寸	電容 (μF)⁽²⁾	額定電壓 (V)
TDK	X7R	C3216X7R1H106K160AC	1206	10	50
Murata	X7S	GCM32EC71H106KA03K	1210	10	50
AVX	X7R	12105C106MAT2A	1210	10	50
Murata	X7R	GRM32ER71H106KA12L	1210	10	50

(1) 有關(guān)供應(yīng)情況、材料成分、RoHS 和無鉛狀態(tài)以及本表中所列電容器的制造工藝要求，請咨詢電容器供應(yīng)商。請參閱第三方產(chǎn)品免責聲明。

(2) 銘牌電容值（根據(jù)施加的直流電壓和溫度，有效值較小）。

如電源建議 中所述，大容量電解電容（68μF 至 100μF）提供低頻濾波和并聯(lián)阻尼，以減輕與低 ESR、高 Q 陶瓷輸入電容器共振的輸入寄生電感影響。