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ZHCSR90C December 2022 – February 2024 TPSM33615 , TPSM33625

PRODUCTION DATA

封裝選項(xiàng)

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RDN|11
- MPQF642E

散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RDN|11
- QFND871A

訂購信息

7.3.3 輸入電容器

需要輸入電容器來限制該模塊中因開關(guān)頻率交流電流而導(dǎo)致的輸入紋波電壓。TI 推薦使用陶瓷電容器來在寬溫度范圍內(nèi)提供低阻抗和高 RMS 電流等級。方程式 4 給出了輸入電容器 RMS 電流。最大輸入電容器 RMS 電流會出現(xiàn)在 D = 0.5 時(shí)，這時(shí)電容器的 RMS 電流等級必須大于輸出電流的一半。

方程式 4.

I_{C I N, r m s} = \sqrt{D \times (I_{O U T}^{2} \times (1 - D) + \frac{? I_{L}^{2}}{12})}

其中

D = V_OUT/V_IN 是模塊占空比。

理想情況下，降壓級輸入電流的直流和交流分量分別由輸入電壓源和輸入電容器提供。在忽略電感器紋波電流的情況下，輸入電容器會在 D 間隔期間拉出幅值為 (I_OUT – I_IN) 的電流，并在 1 – D 期間灌入幅值為 I_IN 的電流。因此，輸入電容器會傳導(dǎo)峰-峰值幅度等于輸出電流的方波電流。因此，交流紋波電壓的相應(yīng)容性分量為三角波形。通過與 ESR 相關(guān)紋波分量相結(jié)合，方程式 5 可以給出峰峰值紋波電壓幅值。

方程式 5.

? V_{I N} = \frac{I_{O U T} \times D \times (1 - D)}{F_{S W} \times C_{I N}} + I_{O U T} \times R_{E S R}

方程式 6 給出了特定負(fù)載電流所需的輸入電容。

方程式 6.

C_{I N} \geq \frac{D \times (1 - D) \times I_{O U T}}{F_{S W} \times (? V_{I N} - R_{E S R} \times I_{O U T})}

其中

ΔV_IN 是輸入紋波電壓規(guī)格。

TPSM336x5 需要至少 4.7μF 陶瓷型輸入電容。僅使用具有足夠電壓和溫度等級的高品質(zhì)陶瓷型電容器。除了提供紋波電流并將開關(guān)噪聲與其他電路隔開之外，陶瓷輸入電容器還為電源模塊提供了一個(gè)低阻抗源。具有瞬態(tài)負(fù)載要求的應(yīng)用可能需要額外的電容。輸入電容的電壓等級必須高于最高輸入電壓。為了補(bǔ)償陶瓷電容器的降額，TI 建議電壓等級是最大輸入電壓的兩倍或并聯(lián)多個(gè)電容器。表 7-2 包含按供應(yīng)商分類的首選電容器列表。

表 7-2 推薦的輸入電容器

供應(yīng)商⁽¹⁾	電介質(zhì)	器件型號	外殼尺寸	電容器特性
供應(yīng)商⁽¹⁾	電介質(zhì)	器件型號	外殼尺寸	電壓等級 (V)	電容 (μF)⁽²⁾
TDK	X7R	C3225X7R1H475K2 50AB	1210	50	4.7
Wurth	X7R	885012209048	1210	50	4.7
Murata	X5R	GRM155R61H104M E14D	0402	50	0.1
Chemi-Con	電解	EMVY500ADA101M HA0G	HA0	50	100

(1) 有關(guān)供應(yīng)情況、材料成分、RoHS 和無鉛狀態(tài)以及本表中所列電容器的制造工藝要求，請咨詢電容器供應(yīng)商。請參閱第三方產(chǎn)品免責(zé)聲明。

(2) 銘牌電容值（根據(jù)施加的直流電壓和溫度，有效值較小）。