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ZHCSY19 March 2025 TPSI3050M

PRODUCTION DATA

請參考 PDF 數據表獲取器件具體的封裝圖。

可選的外部柵極驅動器電阻器 R_GSRC 和 R_GSNK 以及二極管用于：

TPSI3050M 具有采用 P 溝道 MOSFET 的上拉結構，峰值拉電流為1.5A。因此，可以使用以下公式來預測峰值拉電流：

方程式 7.

I_{O +} ? m i n (1.5 A, \frac{V_{V D D H}}{R_{D S O N_V D R V} + R_{G S R C} + R_{G F E T_I N T}})

其中

對于本示例，R_{DSON_VDRV} = 2.5Ω，R_GSRC = 8Ω 且 R_{GFET_INT} = 0Ω 時會得到：

方程式 8.

I_{O +} ? m i n (1.5 A, \frac{10.2 V}{2.5 ? + 8 ? + 0 ?}) = 0.97 A

同樣，TPSI3050M 具有采用 N 溝道 MOSFET 的下拉結構，其峰值灌電流為 3.0A。因此，假設 R_{GFET_INT} = 0Ω，可以使用以下公式來預測峰值灌電流：

方程式 9.

I_{O -} ? m i n [3.0 A, (V_{V D D H} \times (R_{G S R C} + R_{G S N K}) - R_{G S R C} \times V_{F}) \times \frac{1}{{R_{G S R C} \times R_{G S N K} + R}_{D S O N_V D R V} \times (R_{G S R C} + R_{G S N K})}]

其中

對于本示例，假設 R_{DSON_VDRV} = 1.7Ω、R_GSRC = 8Ω、R_GSNK = 4.5Ω 且 R_{GFET_INT} = 0Ω，由此得到：

方程式 10.

I_{O -} ? m i n [3.0 A, (10.2 V \times (8 ? + 4.5 ?) - 3.5 ? \times 0.7 V) \times \frac{1}{8 ? \times 4.5 ? + 1.7 ? \times (8 ? + 4.5 ?)}] = 2.18 A

重要的是，估算的峰值電流也受到 PCB 布局和負載電容的影響。柵極驅動器環路中的寄生電感可以減慢峰值柵極驅動電流并導致過沖和下沖。因此，TI 強烈建議最大限度地減小柵極驅動器環路。